第七條　第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/02/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT＄53,5004.其他應敘明事項:本發明的目的是減低驗證動作的數目，縮短寫入需要的時間。解決方法是在對於對應複數狀態的相互不同的複數啟始電壓設定至各記憶單元並藉此記錄多值狀態的非揮發性半導體記憶陣列，控制其寫入的非揮發性半導體記憶裝置中，一邊由既定的寫入開始電壓開始依序將寫入電壓增加既定的電壓增加量，一邊驗證並將上述記憶單元寫入時，根據先前進行的寫入中驗證動作通過時的寫入脈衝數，決定及設定上述寫入開始電壓進行寫入。