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搶攻微機電商機 宜特研發MEMS檢測流程

鉅亨網/鉅亨網記者蔡宗憲 台北 2013.10.16 00:00
在科技蓬勃發展下,MEMS元件已成智慧產品核心,為降低企業投入MEMS開發時,因過去的分析技術而難以找出MEMS失效原因,宜特(3289-TW)科技宣布,建構出MEMS G-Sensor標準失效分析流程,此流程已被許多公司採用,目前全台開發MEMS G-sensor的公司中,約達 9 成已在iST宜特協助下解決失效問題。

宜特指出,研發的MEMS G-Sensor失效分析標準流程,也正式通過全球最具代表性,電子元件檢測失效分析技術研討會ISTFA支認可,成為全台第一家,且是唯一一家擁有MEMS研究團隊的實驗室。

宜特表示,許多公司欲了解MEMS元件失效狀況時,由於對其結構認知度、掌握度不夠,因此以傳統方式做開蓋(De-cap)觀察,容易造成元件汙染。

此外,因元件為懸浮結構,以外力移除時易產生毀損,在兩造影響下,容易造成元件汙染和應力破壞,不只沒找出真因,反而製造更多失效盲點。

為克服此問題,宜特今年已成功開發出MEMS無污染的De-cap技術,結合無應力的元件移除技術,以非破壞方式保留結構原貌,避開機械應力和汙染產生的非真因失效,目前已協助30多家MEMS設計、製造與封裝企業,找出失效點並成功改善,搶攻市場先機。

宜特營運長林正德指出,2007年預見此市場需求後即投入研發,全面佈局MEMS等新興產品失效分析技術,近幾年在大量實務經驗深耕下,更在今年建立出MEMS標準失效分析流程。

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