DRAM與NAND競爭恐升溫

集邦科技今天發表對DRAM與NAND Flash產業的觀察報告，提出產業未來4年發展的6大趨勢預測。

集邦科技指出，個人電腦用DRAM主流規格，自2011年已升級至DDR3，雖然今年JEDEC組織將公布DDR4標準規格，但DDR4帶給個人電腦效能提升的效益有限，預期DDR3主流地位至少可維持到2014年。

集邦還表示，行動手持裝置隨著朝向3D發展，對頻寬需求也將提高，預期矽穿孔(TSV)與3D IC技術成熟度，將成為影響未來行動記憶體主流發展的關鍵。

未來隨著英特爾新一代平台Ivy Bridge與Haswell上市，集邦指出，超薄筆記型電腦將成個人電腦(PC) DRAM與行動記憶體首次交鋒的戰場。

集邦認為，未來行動記憶體若能切入超薄筆記型電腦供應鏈，整體市場規模有機會在2015年超越PC DRAM，躍居DRAM最大應用市場。

至於NAND Flash方面，集邦預期，固態硬碟(SSD)單位成本可望於今年下半年下降至1美元以下，達到市場甜蜜點，SSD成長潛力將會爆發。

集邦預期，PC用SSD將以SATA3.0為主流介面，未來有機會進一步升級至更高速的PCIe-Like介面。

集邦指出，雖然DRAM與NAND Flash功能上呈現互補，只是在超薄筆記型電腦及智慧手機等系統產品逐漸走向平價時尚，預期系統業者在有限預算下，將會被迫在DRAM與NAND Flash做選擇，進而帶動兩者競爭快速升溫。