記憶體史詩級崩跌中 原因曝光傳「這件事」直接動搖缺貨預期
上報/上報快訊/徐瑋璐
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台股今(3日)盤中雖一度強彈超過600點,但記憶體族群卻成為賣壓核心,走勢急轉直下,多檔指標股由紅翻黑、甚至直奔跌停,盤面震盪劇烈。早盤在美股收紅與報價上修利多激勵下,資金一度回流記憶體族群,不過開盤不到一小時,賣壓全面湧現,成為拖累盤勢的重心。
盤面重挫焦點包括南亞科技(2408)由紅翻黑,盤中一度跌停至265元,振幅達16.84%;華邦電子(2344)早盤強彈後急殺,盤中觸及跌停至104.5元;群聯電子(8299)由漲轉跌亮燈跌停;旺宏電子(2337)更是一度亮燈漲停後翻黑;威剛科技(3260)、十銓科技(4967)同步擴大跌幅,力積電(6770)也轉弱走低。
市場賣壓來源,指向中國記憶體大廠長江存儲傳出可能將原訂2027年開出的新產能,提前至2026年下半年量產。全球NAND Flash供給緊張與價格飆漲的壓力,可能提早獲得紓解,直接動搖先前「缺貨將延續至2027年」的市場共識。
市場原先主軸仍圍繞在AI與資料中心需求帶動記憶體長期缺貨,但在股價已大幅反映利多的背景下,一旦供給預期出現變數,資金迅速轉向獲利了結與恐慌性賣出,形成由紅翻黑、直殺跌停的踩踏走勢。
不過,事情是否真的屬實,目前仍有不同觀點與報導。根據《聯合報》報導,有法人指出,在供給面上,全球NAND原廠已明顯轉向保守擴產,今年總產出約1100至1200 EB,位元年成長率僅約10%-15%,遠低於過往的30%。
法人解析,即便長江存儲提前量產,新廠仍需1至2年時間進行良率爬升,且擴產重心偏向中國內需市場,而且其重心偏向3D DRAM,對於增加全球NAND供給量的實質貢獻有限。
同時,三星、SK海力士與美光等原廠資本支出已轉向HBM與先進DRAM,多數供應商今年產能接近滿載甚至售罄,結構性缺貨短期難以改變。不過,股價反映的是未來供需預期而非當下缺貨事實,當市場開始質疑「還會缺多久」,記憶體族群首當其衝,成為這幾天盤面領跌與震盪的關鍵。
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