SK海力士傳首度攜手英特爾 美國共建記憶體晶片廠

南韓記憶體大廠SK海力士（SK hynix）據傳正與美國半導體巨擘英特爾（Intel）商議，可能將首度聯手在美國境內建立動態隨機存取記憶體（DRAM，用於電腦及伺服器主要記憶體）生產線。此舉若成真，將是全球半導體供應鏈重組，以及美國推動本土製造政策下的重要發展。

據外媒報導，兩家公司正探討多種合作模式，包括由SK海力士租賃英特爾在俄亥俄州（Ohio）正在興建的晶片製造廠區空間，或是組建一家合資企業。這項合資計畫可能吸引英特爾、人工智慧（AI）超大規模資料中心業者，以及其他亟需DRAM的無晶圓廠晶片設計公司等參與。若雙方達成協議，SK海力士預計將在俄亥俄州生產標準型平面DRAM、高頻寬記憶體（HBM）及部分NAND快閃儲存解決解決方案。

英特爾早在2022年便宣布，將投資1,000億美元在俄亥俄州打造一座大型晶片製造園區，最初規劃於2025年啟動生產。然而，該廠區兩座晶圓廠的完工日期已延遲至2030年及2031年。SK集團主席崔泰源（Chey Tae-won）曾於今年七月公開表示，集團有必要在美國建造工廠，並相信這是一個值得追求的目標。

值得注意的是，南韓貿易部已聲明，若SK海力士在美國的潛在晶片生產涉及「國家核心技術」，在任何公告發布前，將需要依據南韓《產業技術保護法》進行審查。這反映出各國政府對關鍵半導體技術的保護日益重視。SK海力士的目標是到2034年，將其記憶體晶片產能和產量提高三倍。