記者季大仁／新竹報導
著眼於第三代半導體材料碳化矽 (SiC) 和氮化鎵(GaN) 的發展潛力，環球晶圓27日與交通大學簽訂合約，共同合作成立化合物半導體研究中心，攜手研發第三代半導體材料包含但不限於6吋~8吋碳化矽 (SiC) 和氮化鎵(GaN)，期能快速建立台灣的化合物半導體產業鏈。
國立交通大學代理校長陳信宏表示，交通大學引領台灣半導體研究之先，例如台灣第一片矽晶圓是在交大實驗室完成的。交大結合校友力量，協助學校推動尖端研究，期望五至十年能有三至五個領域達到世界第一的目標，進而成就「偉大大學」之願景。在研究中心，交大團隊將整合跨尺度學理研究特色，並結合環球晶圓生產製程相關獨特技術，整合理論與實務共同開發創新之高產能相關化合物半導體晶圓製造技術，以製造大尺寸、高品質、低缺陷晶圓為目標。
環球晶圓母公司中美矽晶榮譽董事長盧明光表示，「碳化矽 (SiC) 和氮化鎵(GaN)是非常具有發展前景的半導體材料，在下一波產業5G、電動車…..高功率發電、高頻率的運用上是最關鍵的要素」，並特別強調「世界各國都視碳化矽 (SiC)為國家戰略發展之原料及技術，台灣應該將第三代半導體之發展列為國家科技政策、全力發展。
相較於傳統的半導體矽材料，碳化矽 (SiC) 和氮化鎵(GaN)這類寬能隙元件具有優異的熱傳導率和高速切換能力，可減少運作損耗；出色的性能適合在高溫高電流環境下運作，可提供更高的功率和絕佳熱傳導；其散熱性能優越，且高飽和電流適用於快速充電，卓越的特性適用5G通訊、快速充電與超高壓產品如電動車領域，深具市場潛力，被視為功率半導體元件的明日之星。