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東芝針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET

中央社/ 2017.01.23 00:00
(中央社訊息服務20170123 11:21:39)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO: 6502)旗下儲存與電子元件解決方案公司今日宣布針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET。「DTMOS IV系列」的八款新MOSFET利用超結結構,與東芝之前的「π-MOSVIII系列」相比,其可將其單位面積導通電阻(RON x A)降低近79%。該系列產品改進的高速開關還有助於提高使用該系列產品的晶片組的電源效率。這些MOSFET適用於工業電源,伺服器、筆記型電腦配接器和充電器以及行動裝置的備用電源以及LED照明燈具的電源。出貨即日啟動。

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關於東芝

東芝公司是一家《財星》雜誌全球500大企業,致力於將其在先進電子和電氣產品及系統方面的一流能力運用於三大重點業務領域:更為清潔和安全的維持日常生活的能源業務;保持生活品質的基礎建設業務;以及實現先進的資訊社會的儲存業務。在東芝集團的基本承諾「為了人類和地球的明天」的指引下,東芝竭力推動全球業務,並致力於實現一個讓子孫後代可以享有更加美好的生活的世界。

東芝於1875年在東京成立,如今已成為一家有著550家附屬公司的環球企業,全球擁有超過188,000名員工,年銷售額逾5.6兆日圓(500億美元)。(截至2016年3月31日)

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