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iPhone 6S容量倍增 難挽DRAM頹勢

中央社/ 2015.10.09 00:00
(中央社記者張建中新竹9日電)蘋果iPhone 6S/6S Plus行動記憶體容量倍增至2GB,只是仍無法扭轉動態隨機存取記憶體(DRAM)市場供過於求情況,產品價格頻頻破底。

市場原本期望,蘋果iPhone 6S/6S Plus行動記憶體容量倍增,可望有助去化DRAM產能,將有利支撐DRAM產品價格表現。

儘管iPhone 6S/6S Plus行動記憶體容量如預期倍增至2GB,只是整體智慧手機市場需求不如預期,加上個人電腦市場持續低迷不振,致DRAM市場依然供過於求,產品價格表現超乎預期疲弱。

據市調機構集邦科技調查,DDR3 4Gb顆粒現貨價已滑落至2.1美元,創2012年12月12日來新低價。

DRAM廠南亞科(2408)預期,第4季產品價格恐將較第3季再滑落。

集邦科技也預期,在市場庫存壓力依然沉重下,第4季單月DRAM價格跌幅恐將達5%至7%水準,單季產品價格跌幅可能達15%;集邦科技表示,若蘋果iPhone 6S/6S Plus行動記憶體容量未倍增,跌價幅度恐將更大。

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