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聯電TSV技術將量產 驅動AMD GPU絕佳效能

NOWnews/ 2015.07.20 00:00
記者許家禎/台北報導

聯電今(20)日宣布,用於AMD旗艦級繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯電矽穿孔 (TSV) 技術,已經進入量產階段,此產品屬於AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯電TSV製程以及晶粒堆疊技術,在矽中介層上融合連結AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU,使其GPU能提供4096 位元的超強記憶體頻寬,及遠超出現今GDDR5業界標準達4倍的每瓦性能表現。

聯電市場行銷副總暨TSV技術委員會共同主席簡山傑表示,AMD致力於將頂尖GPU產品帶入市場,具有豐富的成功經驗。這次量產里程碑顯示了公司與AMD在TSV技術上緊密合作下的成果,很榮幸能運用此技術的性能優勢,協助AMD強化其新一代GPU產品。

AMD資深院士(senior fellow) Bryan Black 表示,從開始研發以至量產階段,聯電皆採用創新技術打造客戶產品,這是AMD選擇與聯電合作矽中介層及相關TSV 技術的關鍵因素。聯電順利將TSV技術運用在AMD最新的高效能GPU上,再次證明了其堅實的專業能力。

AMD提供的GPU與HBM堆疊晶粒,皆置放於聯電TSV製程的中介層上,透過CMOS線路重佈層(redistribution layer)與先進的微凸塊(micro-bumping)技術,這些晶片之間可於中介層彼此連通,因此得以實現AMD Radeon™ R9 Fury X絕佳的效能與位面積。AMD的TSV矽中介層技術係於聯電位於新加坡的12吋特殊技術晶圓廠Fab 12i製造生產。

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