聯電今（20）日宣布，用於AMD旗艦級繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯電矽穿孔 (TSV) 技術，已經進入量產階段，此產品屬於AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯電TSV製程以及晶粒堆疊技術，在矽中介層上融合連結AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超強記憶體頻寬，及遠超出現今GDDR5業界標準達4倍的每瓦性能表現。
聯電市場行銷副總暨TSV技術委員會共同主席簡山傑表示，AMD致力於將頂尖GPU產品帶入市場，具有豐富的成功經驗。這次量產里程碑顯示了公司與AMD在TSV技術上緊密合作下的成果，很榮幸能運用此技術的性能優勢，協助AMD強化其新一代GPU產品。
AMD資深院士(senior fellow) Bryan Black 表示，從開始研發以至量產階段，聯電皆採用創新技術打造客戶產品，這是AMD選擇與聯電合作矽中介層及相關TSV 技術的關鍵因素。聯電順利將TSV技術運用在AMD最新的高效能GPU上，再次證明了其堅實的專業能力。
AMD提供的GPU與HBM堆疊晶粒，皆置放於聯電TSV製程的中介層上，透過CMOS線路重佈層(redistribution layer)與先進的微凸塊(micro-bumping)技術，這些晶片之間可於中介層彼此連通，因此得以實現AMD Radeon™ R9 Fury X絕佳的效能與位面積。AMD的TSV矽中介層技術係於聯電位於新加坡的12吋特殊技術晶圓廠Fab 12i製造生產。