集邦科技表示，隨著個人電腦及中國大陸智慧手機市場需求趨緩，另方面，三星(Samsung)的25奈米製程可望於第4季大量產出，恐將導致DRAM價格鬆動，向下修正機率高。
集邦科技指出，三星位於韓國華城的新廠S3也將使用部分產能生產DRAM，已開始導入設備，最快今年底投片，初期將優先生產標準型記憶體；明年下半年月產能可望達6萬片，估計全球DRAM產能將增加約5%。
除三星外，集邦科技表示，海力士(Hynix)韓國利川新廠M14也將在明年落成，預計明年中開始導入設備，儘管目前規劃總產能不會增加，不過，仍難保不會跟進擴產，鞏固市占率。
集邦科技指出，美光(Micron)也決定啟動旗下台灣美光記憶體R2廠房的部分空間，以維持每月7.5萬片的投片量。
集邦科技預期，明年DRAM位元產出恐將增加近30%，將打破DRAM產業寡占局面，DRAM市場供過於求情況恐將再現，為DRAM後市添增不小變數。