力旺表示，目前NeoFuse技術已建置在全球超過20項製程平台上，並順利協助客戶CIS及顯示器驅動晶片(Display Driver ICs，DDI)應用產品進入規模量產階段，逐步升高對營收之貢獻；NeoFuse技術已佈局在0.11微米、65奈米、55奈米、40奈米與28奈米等製程世代，並於55奈米高壓及低功耗、40奈米低功耗、28奈米高介電常數金屬閘極(High-K Metal-Gate，HKMG)及CIS製程平台完成驗證。
力旺強調，各製程世代的NeoFuse技術，正快速導入多家國際級晶圓代工廠，並有多家客戶採用NeoFuse矽智財於影像感測晶片、顯示器驅動晶片、機上盒晶片等產品設計定案(tape-out)中，量產效益值得期待。
力旺強調，嵌入式非揮發性記憶體矽智財解決方案具備完整產品線與製程平台佈局，能滿足各應用領域需求，客戶量產晶圓片數多年來連續呈現2位數之成長力道，繼2013年初達到500萬片後，其多元產品線矽智財之累計客戶量產晶圓持續呈現快速成長之趨勢，2013年單一年度更打破歷年記錄，以超過33%的成長率，累計突破800萬片，再創量產里程碑，該成長主要是受惠電源管理晶片、顯示器驅動晶片、微控制器、感測晶片、觸控晶片、射頻晶片(RFIC)等應用領域之發展。
力旺嵌入式非揮發性記憶體技術佈局，範圍涵蓋0.5微米至28奈米之邏輯、高壓、矽鍺、無線射頻、及混合信號等製程平台，矽智財已成功導入全球超過2400項新產品設計授權案(design license)，廣泛應用在智慧型手機、行動裝置等主流消費性電子產品之中。