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集邦:全球首季DRAM產值近百億美元 南科、華邦電首季表現佳

鉅亨網/鉅亨網記者楊伶雯 台北 2014.05.13 00:00
DRAM產業進入寡占結構後,市場從去年開始進入全面獲利的狀況,全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示,2014年第1季DRAM產值再度攀升至99.4億美元,較上季成長2%,逼近百億美元規模;三大DRAM廠中SK海力士表現最亮眼;台廠部分南科(2408-TW)第1季獲利有不錯的表現,華邦電(2344-TW)整體營收較上季成長6.2%。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示,三大DRAM廠中SK海力士自無錫廠火災後浴火重生,第1季營業利益從29%躍升至36%,表現最為亮眼,其他廠商也都有不錯的表現,堪稱DRAM產業狀況極佳的一年,預估2014年DRAM產值可望來到455億美元,較2013年成長30%。

DRAMeXchange分析DRAM廠商指出,三星算是最早進入25nm製程的DRAM廠商,現階段良率已進入成熟階段,今年上半年產出可望突破50%;下一代23nm甚至21nm製程接近開發完成,有機會下半年開始導入量產規模。受均價下降影響,營收較上季衰退7%,但由於成本結構領先同業,第1季的三星半導體營業利益仍成長至21%。

SK海力士由於今年第1季無錫廠已完全恢復商轉,新購機台順勢從38nm提升至29nm製程,加上第4季因火災導致基期較低的關係,第1季營收大幅成長近21%,營業利益來到28%,近期正式投片量產25nm製程,下半年將逐步提昇產出量。

美光仍以穩健的經營方式固守DRAM市場,營收雖維持持平,但因產品比重調整關係,獲利依然成長當中,營業利益約在21%,現階段技術方面仍以30nm製程為主。原爾必達工廠將在下半年大幅轉進25nm製程,原採用美光技術的工廠則在第4季直接導入20nm製程試產,量產時間點將落在明年上半年,產品規劃上將著重於行動式記憶體及伺服器用記憶體等毛利較高的產品。

南科轉型為生產利基型記憶體為主的DRAM廠後,仍有部份產能生產標準型記憶體,在第1季獲利上有著不錯的表現,雖然營收下滑8%,整體營業利益大幅攀升至34%。

華邦電受惠於利基型記憶體與小容量行動式記憶體銷售暢旺,整體營收較上季成長6.2%,其中行動式記憶體的成長約在17%,利基型記憶體也有6%的成長。今年更將擴大資本支出,除了投片提升至40K外,46nm製程的轉進也是重點,生產成本降低讓營業利益成長至25%。

力晶在第1季DRAM營收較上季成長42%,主因來自於P1+P2廠日前移入一台浸潤式機台,挪移部份產能生產標準型記憶體所致,未來將視市場狀況機動調整代工與標準型記憶體的生產比重。

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