南科今天舉辦媒體餐敘活動。李培瑛表示，物聯網、穿戴裝置及行動裝置等產品市場將刺激DRAM需求擴大。
李培瑛指出，儘管海力士(Hynix)中國大陸無錫廠產能將逐步恢復，加上DRAM廠製程技術推進，將帶動今年DRAM位元產出增加25%至26%。
不過，隨著應用面進一步擴大，李培瑛說，今年DRAM位元需求將增加28%至30%，預期今年DRAM市場仍將供給不足，缺口甚至將較去年大。
李培瑛表示，今年1、2月業績表現優於預期，3月因季節性因素恐將滑落，不過，整體第1季業績表現仍將優於去年第4季水準。
第2季因季節性因素影響，李培瑛說，市場需求也將較弱，不過，第3季需求可望回溫。