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聯電意法合作開發影像感測技術

中央商情網/ 2012.09.06 00:00
(中央社記者張建中新竹2012年9月6日電)晶圓代工廠聯電(2303)今天宣布,將與意法半導體合作開發65奈米影像感測器背面照度(BSI)技術。

聯電表示,過去新加坡廠即曾為意法半導體生產前面照度式(FSI)製程,因應高解析度與高畫質需求,雙方進一步合作開發65奈米影像感測器背面照度(BSI)技術。

聯電指出,65奈米BSI製程可廣泛應用於智慧手機、平板電腦、高階監視器、消費型數位相機及數位單眼相機等產品領域。

聯電表示,目前有8吋及12吋影像感測器製造解決方案,將可滿足多元化市場需求。

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