富士通台灣分公司表示，新款高頻RFID標籤晶片，配備9 KB的FRAM記憶體，寫入速度快，具備高頻可覆寫功能、耐輻射和低功耗等特色，今年8月開始提供樣品。
這新款晶片在高頻RFID標籤領域擁有領先業界的記憶體容量，以及串列介面SPI，為RFID在嵌入式與工業領域的應用開闢新的可能性。
業者表示，自2004年以來，富士通半導體針對高性能RFID標籤，開發出可支援兩個頻段的FerVID系列FRAM產品，可在高頻段(13.56 MHz)和超高頻段(860 ~ 960 MHz)運作。
如今，這些產品的應用層面愈趨廣泛，其中FRAM快速寫入速度和大容量記憶體空間特色，適用於工廠自動化和維護資料的資料媒介晶片；用於醫療和製藥領域的晶片則可承受伽瑪輻射和電子束；配備串列介面的晶片在嵌入式應用領域，也獲得廣泛的關注。
業者說，市場上已衍生許多RFID新需求，有利於汽車和電子製造業的生產控制，以及飛機、道路、建築和公共工程的維護應用。