三星電子（Samsung Electronics Co. KR-005930）今天遞交的申請文件指出，該公司第一階段將在西安廠投資23億美元，西安廠明年將開始生產儲存型快閃記憶體（NAND Flash）。
企業資訊服務公司IHS公司（IHS Inc.）指出，2015年截止的5年期間，用途包括永久儲存照片、影片與應用程式等傳播媒介的快閃記憶體，需求將攀升49%，因此三星正在加強投資快閃記憶體。三星聲明表示，西安廠是該公司海外廠最大規模的投資案。
韓國投資及證券公司（Korea Investment & Securities Co.）分析師徐元奭（Seo Won Seok，音譯）透過電話指出：「這種規模的單一工廠在業界有可能是最大的。以儲存型快閃記憶體來說，中國大陸與韓國將是關鍵的生產基地。」
三星去年12月表示，由於大陸逐漸成為主要的晶片市場，三星準備開始在大陸設廠。由於另一種用於個人電腦的晶片動態隨機存取記憶體（DRAM）價格締造歷史新低，爾必達公司（Elpida Memory Inc.）等三星競爭業者連連虧損。
三星在南韓及美國德州奧斯汀（Austin）均設有晶片工廠。（譯者：中央社徐崇哲）