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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件

中央社/ 2024.04.25 09:48

(中央社訊息服務20240425 09:48:57)該SiP系列現已增至三款器件,均使用了Transphorm的SuperGaN,為支援新一代適配器和充電器拓展了功率等級 美國加利福尼亞州戈萊塔,臺灣新竹--(美國商業資訊)--全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)與適配器USB PD控制器積體電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.(偉詮電子,TWSE:2436)今日宣佈推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起,組成首個基於 Transphorm SuperGaN® 平臺的系統級封裝氮化鎵產品系列。

新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(准諧振/穀底開關)反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。與上一款240毫歐器件(WT7162RHUG24A)相同,兩款新的器件與USB PD或可程式設計電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。值得注意的是,它們還可提供更多創新功能,包括UHV穀底跟蹤充電模式、自我調整OCP補償和自我調整綠色模式控制等,使客戶能夠使用更少的器件、最精簡的設計方案,設計出更快、更高品質的電源產品。

偉詮電子市場推廣副總裁Wayne Lo表示:“去年,我們推出了首款SiP氮化鎵器件,這是偉詮電子發展歷程中的一個重要里程碑。對於AC-DC電源產品市場,SiP氮化鎵器件代表了一種全新的進入市場策略(Go-To-Market Strategy)。今天發佈的新產品表明,我們將繼續為該應用領域提供更多的器件選擇,支援更廣泛的產品功率級。基於 Transphorm SuperGaN平臺並採用整體封裝解決方案,可以為從30瓦低功率USB-C PD電源適配器到功率接近200瓦的充電器在內的各種裝置提供更易設計的高性能電源,這是 Transphorm氮化鎵器件的獨特之處。”

終端產品製造商想方設法開發物料(BOM)成本更低、但同時又具備靈活、快速充電、和更高功率輸出的新型適配器。此外,針對許多應用場景,製造商還希望提供具有多個埠和/或多種連接類型的更為通用的充電器。而所有這些方案,產品外形都要做到更小、更輕。

Transphorm常閉型d-mode SuperGaN 技術平臺的主要優勢包括:同類最佳的穩固性(+/-20V的柵極裕度和4V的抗擾性)及可靠性(FIT失效率<0.05),且功率密度比矽器件高50%。偉詮電子精簡的SiP設計,利用了上述GaN器件優勢以及自身的創新技術,打造出一款近乎隨插即用的解決方案,縮小外形尺寸的同時,加快設計速度。

Transphorm全球銷售及FAE副總裁 Tushar Dhayagude 表示:“從適配器和充電器製造商的需求考慮,SiP可以成為重要的器件選項。不僅能滿足系統電源轉換效率的要求,而且功能集成,器件更易使用,從而在最短的時間內可設計出產品。偉詮電子此前推出的首款器件驗證了SuperGaN SiP的性能和靈活性。本次發佈新款器件,表明了我們兩家公司在深化並實踐為客戶提供更多選擇的承諾。” 產品規格

WT7162RHUG24A WT7162RHUG24B(新) WT7162RHUG24C(新) Rds(on) 240 mΩ 150 mΩ 480 mΩ Vds min 650 V 功率效率 > 93% 功率密度 26 w/in3 最大頻率 180 kHz 寬輸出電壓操作 USB-C PD 3.0 PPS 3.3V~21V 封裝 24-pin 8x8 QFN 主要特點

特點 優勢 可調的 GaN FET 柵極轉換速率控制 可以兼顧效率和電磁相容 不需要外部 VDD 線性穩壓器電路(700 V 超高壓啟動電流直接取自交流線路電壓) 減少了組件數量 減小了封裝電感 最大限度提升了晶片性能 適合採用標準 8x8 QFN FF 封裝 系統佔用空間更低更小 目標應用和供貨情況 偉詮電子 SuperGaN SiP系列特別適用在用於智慧手機、平板電腦、筆記型電腦、頭戴式耳機、無人機、揚聲器、相機等移動/物聯網設備等的輕薄、高性能的USB-C電源適配器。 器件規格詳見產品資料表: • WT7162RHUG24A (240 mΩ): https://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/610 • WT7162RHUG24B (150 mΩ): https://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/633 • WT7162RHUG24C (480 mΩ): https://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/634 新推出的兩款器件(WT7162RHUG24B 和 WT7162RHUG24C)現已開始提供測試樣品。請聯繫 Weltrend 銷售團隊:[email protected]獲取更多資訊。 關於Transphorm Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者,致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一,持有或取得授權的專利超過1,000多項,在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益於垂直整合的業務模式,公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新:設計、製造、器件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於美國加州戈利塔,並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。官網www.transphormusa.cn,歡迎關注Twitter @transphormusa以及微信公眾號:TransphormGaN氮化鎵 關於偉詮電子 偉詮電子(TWSE:2436)成立於1989年,位於“臺灣矽谷”新竹科學園區,是領先的無晶圓廠半導體公司,專長於混合信號/數位積體電路產品的企劃、設計、測試、應用開發與分銷,產品用於電源、電機控制、影像處理等多個應用領域。官網www.weltrend.com SuperGaN是Transphorm, Inc.的注冊商標,所有其他商標均為其各自所有者的財產。

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