(中央社訊息服務20231116 09:28:17)專用隔離式柵極驅動器推動資料中心、可再生能源和電動汽車領域快速採用先進的GaN半導體 加州戈利塔--(美國商業資訊)-- Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是堅固耐用GaN功率半導體領域的全球領先企業，Allegro MicroSystems, Inc.(「Allegro」) (Nasdaq: ALGM)是運動控制和高能效系統領域功率和傳感半導體技術的全球領先企業，這兩家公司今天宣佈開展合作，以擴展面向高功率應用的GaN功率系統設計，合作範圍包括Transphorm的SuperGaN® FET和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器。
Transphorm的SuperGaN FET旨在用於各種拓撲結構，並提供多種不同的封裝，以支援寬功率範圍，同時滿足各種終端應用要求。SuperGaN FET用於多種商業產品，包括經證明可顯著提高可靠性、功率密度和效率的更高功率系統。
Allegro的自供電單通道隔離式柵極驅動器IC針對在多種應用和電路中驅動GaN FET進行了優化。事實證明，與同類柵極驅動器相比，AHV85110的驅動器效率提高了50%。這種獨特的解決方案大大簡化了系統設計，與市場上的其他解決方案相比，雜訊降低了10倍，共模電容降低了15倍。
Transphorm全球銷售和FAE副總裁Tushar Dhayagude表示：「Allegro的AHV85110高壓柵極驅動器提供了一種高度緊湊且高效的功率級實施方案，有助於透過最少的外部元件數量和Transphorm功率器件周圍的偏置電源要求，將體積減少了大約30%。與競爭技術相比，SuperGaN具有更高的可靠性和卓越的動態開關性能，結合這些優勢，最終可為伺服器、資料中心、可再生能源和電動汽車等關鍵應用提供更高效、更強大、功率密度更高的解決方案。」
Allegro MicroSystems副總裁兼高壓電源總經理Vijay Mangtani表示：「我們很高興與Transphorm開展合作，進一步支援Allegro致力於説明客戶優化基於GaN的系統開發和設計。我們期待著有機會將我們的高壓隔離式柵極驅動器AHV85110與Transphorm的SuperGaN FET相結合，以更小的外形尺寸實現更高的功率密度、更高的效率和更高的功率輸出，並為我們和Transphorm的客戶提供價值。」
有興趣測試協作解決方案的用戶可以透過Allegro的APEK85110KNH-06-T評估板進行測試。該評估板採用了設計用於各種應用的AHV85110以及Transphorm最近發佈的TOLL封裝（可用於導通電阻分別為35、50和72毫歐的三種器件）。
關於 Transphorm Transphorm, Inc.是GaN革命的全球領導企業。該公司設計和製造用於高壓功率轉換應用的高效能、高可靠性GaN半導體。Transphorm具有最大的功率GaN IP組合之一，擁有1000多項公司擁有或獲得許可的專利。該公司生產了業界首個符合JEDEC和AEC-Q101要求的高壓GaN半導體器件。該公司的垂直集成設備商業模式允許在每個開發階段進行創新：設計、製造、設備和應用支援等。Transphorm的創新使電力電子產品超越了矽的限制，實現了超過99%的效率、50%以上的功率密度和20%以下的系統成本。Transphorm總部位於加利福尼亞州戈利塔，並在戈利塔和日本艾祖設有製造業務。若要瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。請在Twitter @transphormasa和微信@Transphorm_GaN上追蹤我們。 SuperGaN 標誌是 Transphorm, Inc. 的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。 免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
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