GlobalFoundries與Microchip Technology Inc.及其旗下子公司冠捷半導體（SST）今日宣佈，採用 GF 28SLPe 製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產。
在實施SST應用廣泛的ESF3 SuperFlash技術方面，GlobalFoundries確立了新的行業基準。該實施方案具有以下功能和優勢：
· 成本最低的28奈米HKMG ESF3解決方案，僅增加了10個遮罩(mask)，包括真正的5V IO CMOS元件
· SST ESF3 位元單元尺寸僅為 0.04 平方微米，極具競爭力
· 工作溫度額定值為-40°C至125°C
· 讀取存取時間為次25奈秒 (ns) 、程式設計時間為10微秒和抹除時間為4毫秒
· 超過100,000次程式設計/抹除迴圈的耐用性
· 不影響使用GF 28SLPe平臺合格IP的設計流程（EG 流程）
· 可立即提供4Mb至32Mb 的現成巨集程式
· 可從SST或GF獲得客製化設計支援
隨著邊緣智慧化水準的不斷提高，嵌入式快閃記憶體的應用也呈爆炸式增長。在家庭和工業物聯網以及智慧行動設備的廣泛應用中，用於安全程式碼儲存、OTA更新和增強功能的嵌入式記憶體正呈上升趨勢。滿足這些需求需要創新的平臺。
GlobalFoundries業務長Mike Hogan表示：「GlobalFoundries很榮幸能與SST合作，在我們強大的28SLPe平臺上開發、認證並投產這款令人印象深刻的嵌入式NVM解決方案。GlobalFoundries的客戶發現，這款解決方案集高效能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益於一身，非常適合先進的MCU、複雜的智慧卡以及面向消費和工業產品的物聯網晶片。」
Microchip 授權業務部門和SST副總裁Mark Reiten表示：「過去十年，SST與GlobalFoundries緊密合作，將SST的行業標準ESF1和ESF3 嵌入式快閃記憶體技術整合到GlobalFoundries的130奈米BCD、55 奈米、40 奈米以及當前的28 奈米製程平臺並實現產品化。我們欽佩GlobalFoundries在提供最廣泛的嵌入式NVM解決方案方面的領先地位，期待雙方的緊密合作關係在未來十年帶來更多突破。」
在今天於慕尼黑舉行的GlobalFoundries GTS峰會期間，SST在IP合作夥伴區展出其嵌入式快閃記憶體技術。
對GlobalFoundriesESF1 和ESF3平臺解決方案感興趣的客戶，可參閱GlobalFoundries網站 www.gf.com/technology-platforms ，也可透過www.gf.com/about-us/contact-us與公司聯繫瞭解更多資訊。
對SST的ESF1、ESF3 或SuperFlash®技術 memBrain™神經形態記憶體解決方案IP產品感興趣的客戶，請聯繫[email protected]或SST網站上列出的相應區域連絡人。