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修平科大 俄羅斯阿基米德國際發明展 現場大直擊

台灣產經新聞網/台灣發明商品促進協會 2023.03.29 00:00
新聞圖片

「俄羅斯莫斯科阿基米德國際發明暨創新科技展」以激勵發明創作、專利許可、活絡市場、推廣創新商品為目標,被視為全球重要且具規模的創新論壇之一,期間舉辦各類活動,包含:發明展覽、工業樣品展示、商標、創新商品、會議論壇、培訓工作坊、投資展覽會、競賽、工業傑出國家的技術展示等與發明相關之主題。

 

世界發明智慧財產聯盟總會(WIIPA)與台灣發明商品促進協會(TIPPA),今年組織110件具競爭力的創新發明品,一同參加2023年3月28~3月30日在莫斯科舉辦的「俄羅斯莫斯科阿基米德國際發明暨創新科技展」 (Moscow International Salon of Inventions and Innovative Technologies ARCHIMEDES)。阿基米德展負責人Dmitry Zezyulin表示,WIIPA是阿基米德展重要的國際夥伴,並邀請台灣發明商品促進協會會長施養隆上台致詞,為展覽揭開序幕!

 

駐俄羅斯代表耿中庸與TIPPA會長施養隆在修平科技大學展位合影

 

TIPPA會長施養隆說,今年的「俄羅斯阿基米德國際發明展」中,WIIPA組織的跨國參賽作品,分別來自台灣、伊朗、柬埔寨、中國、香港、澳門等6個國家/地區。其中來自台灣的修平科技大學以3件創新發明作品參賽, 展覽開幕當天, 駐俄羅斯代表處耿中庸代表率經濟組陳秀全組長及科技部施元丁秘書親自到台灣展區參觀台灣的創新發明品, 並在修平科技大學的展位與TIPPA會長施養隆合影.

 

以下亮點介紹修平科技大學的3項發明參賽作品:

 

智能車牌識別系統之FPGA設計與實現

 

由余建政副教授領軍的發明團隊,包含李泓毅及黃聖源2位學生,以作品「智能車牌識別系統之FPGA設計與實現」參賽. 余建政副教授表示, 隨著經濟的快速發展,汽機車數量的迅速成長,道路運輸變得越來越繁忙,對交通控制、安全管理的要求也日益提高。智能交通系統(Intelligent Transportation Systems,ITS)已成為改善交通管理的主要途徑之一,而車牌識別技術作為ITS的核心技術,已被廣泛地應用於都市交通管理、停車場管理等。本創作提出一種基於FPGA和DSP的智能車牌識別系統,充分利用TI公司DSP的強大運算能力以及Altera公司FPGA的靈活序向邏輯控制技術,實現系統的高速且準確的操作。為了能夠實現高精度和即時性的車牌識別系統,該系統根據不同的任務分別結合FPGA和DSP各自的特點。

 

余建政副教授接著說,本創作所提出之智能車牌自動識別系統包括圖像捕捉模塊、判斷模塊和輸出模塊。其中,圖像捕捉模塊用以擷取目標物件的影像,檢測並考慮圖像的方向、位置和光照條件以獲得車牌的基線圖像。對基線圖像進行精細定位,以獲得對車牌基線圖像垂直分辨率的更準確描述。透過使用沿基線圖像的水平軸的投影來識別字元的位置來分割基線圖像中描繪的字元;判斷模塊用於將目標物體的圖像分割為多個圖像區塊,該判斷模塊利用多個圖像區塊產生特徵數據,基於智能分類器對字元進行分類,以獲得正確識別每個字元的概率的置信度分數,並對特徵數據進行數據分類處理以產生分類結果,而輸出模塊係用以輸出排序結果。

 

最後,余建政副教授強調,使用FPGA合成軟體,將編寫完成之Verilog硬體描述語言合成FPGA所需之格式,並於Zynq-series嵌入式系統平台進行獨立系統驗證,搭配前期完成之驗證環境,可迅速比對硬體與演算法之結果是否匹配。本創作產生之結果還可以透過無線傳輸系統將資料傳送給管理中心進行車位管理,同時亦可與警政系統連線進行贓車辨識。

 

三維奈米柱壓電觸覺感測器

 

由高銘政教授及陳宏仁教授領軍的發明團隊,包含阮拓宇, 黃方萍, 闕至宸及林根德4位學生, 以作品「三維奈米柱壓電觸覺感測器」參賽. 高銘政教授表示, 這是一種三維奈米柱壓電觸覺感測器,其構成包含一應用於觸覺感測架構之壓電感測器,該感測器係為上電極、摻雜鋰氧化鋅奈米柱、氧化鋅薄膜、下電極、氧化錫摻氟薄膜及玻璃基板的結構,係為應用可穿戴式觸覺感測單元之嵌入式數據採集設備,可採集觸覺感測及電子人工皮膚之模擬人體觸覺靈敏度感測訊號,藉此能提昇智慧機器人之模擬人體觸覺靈敏度。

 

具高寫入可靠度之負位元線寫入輔助

 

由蕭明椿教授領軍的發明團隊,包含黃湟潮及吳秉宸2位學生, 以作品「具高寫入可靠度之負位元線寫入輔助」參賽. 蕭明椿教授表示, 將選定位元線電壓於寫入邏輯0之前段係設計成低於接地電壓之電壓位準,以加速寫入邏輯0以及讀取邏輯0之速度,而於寫入邏輯0之後段拉回至接地電壓,以減緩半選定晶胞干擾;而將選定位元線電壓於寫入邏輯1時設計成高於SRAM晶胞之電源供應電壓,以提高SRAM晶胞之儲存節點的寫入初始瞬間電壓,從而提高寫入邏輯1之速度。相較於US10199090B2(授予Apple Incorporation)及US10332570B1 (授予AMD Incorporation)等在寫入邏輯0之後段,方將選定位元線電壓設計成低於接地電壓之先前技藝, 本作品具有更優異性能與商品化價值。

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