超越台積電！三星正式開始量產「3奈米晶片」

（記者陳樂珊／綜合報導）南韓三星電子6月30日宣布，正式開始量產「3奈米晶片」，超越台積電，成為全球第一間達到此里程碑的半導體工廠。

圖／南韓三星電子6月30日宣布，正式開始量產「3奈米晶片」，超越台積電。（擷取自三星官網）

據報導，三星指出，跟先前的5奈米製程相比，其第一代3奈米製程用電減少45%，性能提升23%，晶片表面積縮小16%；預計接下來的第二代3奈米製程，最高將可省電50%，性能提高30%，晶片面積則將減少35%。

根據三星的新聞稿指出，其3奈米製程稱為「多橋通道場效電晶體」（Multi-Bridge-Channel FET , MBCFET），使用「環繞閘極技術」（Gate-All-Around, GAA），突破了「鰭式場效電晶體」（FinFET）的性能限制。它透過降低供應電壓位準，達到更高的功率效率，同時藉由增加驅動電流能力，提升性能。

據瞭解，台積電則預計今年下半年量產 3 奈米晶片，且採用較成熟的 FinFET 技術，2025 年量產 2 奈米製程時，才會採用 GAA 技術。業界人士認為，台積電 3 奈米沿用 FinFET 技術，主要是考量技術成熟度、成本競爭力與效能等因素，在 FinFET 生態系相對成熟下，將更具成本競爭力。

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