【記者羅蔚舟／竹科報導】
在不斷追尋摩爾定律的道路上，英特爾揭曉其關鍵封裝、電晶體和量子物理等根本性突破，推進和加速運算進入下個十年。英特爾於IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）2021，概要地論述採用混合鍵合（hybrid bonding）技術，在封裝中提升超過10倍互連密度的過程、電晶體微縮達成30%至50%的面積改善、新電源和新記憶體技術的重大突破，以及未來某個時刻將徹底顛覆運算的新物理概念。
「在英特爾心中，推進摩爾定律所需的研究和創新永不停歇。我們的元件研究事業群於IEDM 2021分享關鍵研究突破，帶來革命性的製程和封裝技術，滿足我們產業和社會所仰賴且永遠不會滿足的需求。這是我們最棒的科學家和工程師勤勉不懈的工作成果，他們將走在創新最前線，繼續為延續摩爾定律而努力。」– Robert Chau，英特爾資深院士暨元件研究經理。
摩爾定律已經隨著運算創新，滿足從大型電腦至行動電話每個科技世代的需求，這條演化之路隨著我們進入無限資料和人工智慧的新運算時代得以延續。摩爾定律的基石是持續不斷地創新，英特爾的元件研究事業群致力於橫跨3個關鍵領域創新：提供更多電晶體的必要微縮技術、提升電源和記憶體的新矽功能、探索新物理概念以便革命性地改變世界運算的方式。藉由元件研究的工作，許多創新已打破先前摩爾定律的障礙，並實際應用於當今產品之中－包含應變矽、Hi-K金屬閘極、FinFET、RibbonFET，以及包含EMIB、Foveros Direct在內的封裝創新。
英特爾於IEDM 2021揭曉的多項突破，顯示英特爾有望在2025之後，藉由下列3項領域的探索，繼續推進和汲取摩爾定律優勢：1.英特爾正追尋基本微縮技術的重要研究，能夠在未來的產品之中提供更多的電晶體。2.英特爾同時為矽帶來新功能：
在300mm晶圓上，達成全球首創整合以氮化鎵（GaN）為基礎的電源開關和以矽為基礎的CMOS，推進更有效率的電源技術；另一項進展為英特爾使用新型鐵電材料，達成領先業界、低延遲讀寫能力，且有可能成為次世代嵌入式DRAM技術。3.英特爾正在追尋以矽電晶體為基礎的量子運算所帶來的強勁效能，以及與新型室溫裝置搭配運作，擁有巨量能源效率運算的全新開關。在未來，這些採用全新物理概念的揭示，可能會取代傳統MOSFET。