台灣之光　交大教授荊鳳德、陳智雙獲「國際先進材料學會」會士

【大成報記者羅蔚舟／新竹報導】
總部在瑞典並是全球材料界的學術組織的國際先進材料學會 (International Association of Advanced Materials, IAAM)，全球共有來自125個國家的上萬名會員曾經參與。「國際先進材料協會會士(IAAM Fellow)」榮譽頒發給世界各國於先進材料方面有重大貢獻的傑出研究學者，12月公布「2020 IAAM Fellow」獲選名單，國立交通大學長期於電子、材料領域耕耘之兩名教授獲此殊榮，分別是電子系荊鳳德講座教授與材料系陳智特聘教授，交大全體深感驕傲與榮幸。

交大表示，荊鳳德講座教授於密西根大學電機系博士畢業後，曾任職於AT&T貝爾實驗室、GE航太電子實驗室、德州儀器半導體技術元件中心與新加坡國立大學客座教授；他是低功率高介電CMOS和高介電快閃記憶體、三維積體電路(3D IC)、高頻率高功率非對稱MOSFET、太赫茲(THz)矽元件、以及共振腔光感測器(Resonant-Cavity photodetector)的先驅。

同時荊鳳德教授也具有豐富的科技行政資歷，服務於全球最大的國際電機電子工程師學會IEEE至今長達15年。並曾任職“國際電子元件會議”(IEDM)執行委員會之委員、IEEE Electron Device Letters編輯、IEEE電子元件協會SRC主席、以及“電子材料”與“化合半導體元件和電路”的兩個技術委員會主席。荊教授為國際電機電子工程師學會(IEEE)會士、國際光學學會(The Optical Society)會士、國際先進材料學會(Intl Assn Advanced Materials)會士、和亞太材料科學院(Asia-Pacific Academy of Materials)院士。

陳智特聘教授是發現(111) 奈米雙晶銅的先驅，能夠以直流電鍍出含有高密度/高規則性奈米雙晶且具有極高(111)優選方向的銅膜，幾乎100%的表面銅晶粒都沿著[111]方向排列，晶體排列規則性僅次於單晶，在電鍍銅的研究上有重要創新與貢獻，榮登世界頂級期刊科學雜誌(SCIENCE)。

陳智教授於學術及產業的貢獻，使其獲得多項大獎，包括：科技部未來科技獎(2020)、第八屆有庠科技發明獎、科技部傑出研究獎(106年度)、科技部傑出技術移轉貢獻獎(106年度)、TMS應用與實踐獎(TMS 2018 Application to Practice Award, The Minerals, Metals & Materials Society)、「第十三屆國家新創獎－學研新創獎」(2016)、交大產學技術交流卓越貢獻獎銅羽獎及特別貢獻獎(2016) ，以及中研院年輕學者研究著作獎(2013)、科技部吳大猷先生紀念獎(96年度)。

（圖由交大提供／1.荊鳳德教授(左)與2000年諾貝爾物理學獎得主Jack S. Kilby(右)合影。2.陳智教授。)