東芝推出適用於高效率電源的1200V碳化矽MOSFET

(中央社訊息服務20201020 14:37:11)東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）推出1200V碳化矽(SiC) MOSFET TW070J120B。該產品適用於大容量電源等工業應用，於即日起供貨。

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該功率MOSFET採用新材料SiC，與常規的矽(Si) MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，因此有利於降低功耗，精簡系統。

這款新元件採用可提高SiC MOSFET可靠性的東芝第二代晶片設計[1]生產，具有低輸入電容、低閘極輸入電荷、低漏源導通電阻等特性。與東芝的1200V矽絕緣閘極雙極電晶體(IGBT) GT40QR21相比，其關斷開關損耗降低80%左右，開關時間（下降時間）大約縮短70%，並且能夠在不超過20A的漏極電流下提供低導通電壓[2]。

其閘極閾值電壓設定在4.2V至5.8V的較高電壓範圍內，有助於降低故障風險（意外開啟或關閉）。此外，內建的具有低正向電壓的SiC肖特基勢壘二極體(SBD)也有助於降低功耗。

在大容量AC-DC轉換器、太陽光逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業應用中，這款新型MOSFET將不僅透過降低功耗來達到提高效率的目的，而且也有助於縮小設備尺寸。

注釋：

[1] 東芝於2020年7月30日發布的新聞：《東芝的新元件結構提高SiC MOSFET的可靠性》

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html

[2] 環境溫度25°C

應用場景

• 大容量AC-DC轉換器

• 太陽光逆變器

• 大容量雙向DC-DC轉換器

特性

• 第二代晶片設計（內建SiC SBD）

• 高電壓、低輸入電容、低總閘極電荷、低導通電阻、低二極體正向電壓、高閘極閾值電壓：

　　 VDSS=1200V，Ciss=1680pF（典型值），Qg=67nC（典型值），RDS(ON)=70mΩ（典型值），VDSF=-1.35V（典型值），Vth=4.2～5.8V

• 易於操作的增強類型

主要規格

（除非另有說明，Ta=25℃）

元件

型號 封裝 絕對最大額定值 電氣特性 庫存查詢與供貨

漏源

電壓

VDSS

(V) 漏極電流

(DC)

ID

Tc=25℃時

(A) 漏源

導通電阻

RDS(ON)

典型值

VGS=20V時

(mΩ) 閘極閾值電壓

Vth

VDS=10V，

ID=20mA時

(V) 總閘極電荷

Qg

典型值

(nC) 輸入電容

Ciss 典型值 (pF) 二極體正向電壓

VDSF

典型值

IDR=10A,

VGS=-5V 時

(V)

TW070J120B

TO-3P(N) 1200 36.0 70 4.2至5.8 67 1680 -1.35 線上購買

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