(中央社訊息服務20200903 14:05:04)
TDTTP4000W065AN充分利用SuperGaN™ FET的性能，設計更簡單
加州戈利塔--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)今日宣布推出其最新的評估板TDTTP4000W065AN。該評估板為高達4千瓦(kW)的單相交流轉直流(AC-DC)電源轉換而設計，採用無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)拓撲和傳統的類比控制。這種組合使Transphorm最新的SuperGaN™ FET能夠快速、輕鬆地獲得一流的轉換效率，且使用數位信號控制器(DSC)時無需進行韌體開發。
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透過RDDR推動GaN普及
Transphorm的高壓GaN平臺和相關設計工具的創新路徑圍繞提供一流的GaN可靠性、易設計性、易駕駛性和大量可再現性(RDDR)。為此，TDTTP4000W065AN讓電源系統工程師能夠獲得比使用了超接合面MOSFET的標準CCM Boost PFC設計更高的效率。
該評估套件的額定值為4 kW高壓線(180-260 V)和2 kW低壓線(90-120 V)。類比圖騰柱解決方案的主要優勢如下：
• 維護電源——支援加電和為晶片組供電等基本功能所需的電源——在任何系統中均為相對固定值。因此，隨著應用功率電平的降低，維護電源將占系統總功率損耗的較大比例。與DSP解決方案相比，Transphorm的類比板從一開始就需要較低的維護功率，從而提高整體系統效率。
• 不需要DSP韌體程式設計，適合標準CCM升壓AC-DC PFC功率級。
對於需要更高設計靈活性的工程師，Transphorm已於今年初推出了TDTTP4000W066C。這款採用DSC的4 kW交流轉直流板還使用無橋圖騰柱PFC及該公司的SuperGaN FET。但是，它整合了微芯科技(Microchip)的dsPIC33CK DSC板，該板已經過預程式設計，並由專用韌體提供支撐。
Transphorm全球技術行銷與北美銷售副總裁Philip Zuk表示：「Transphorm的類比評估板提供了前所未有的、以最簡單的方式使用我們高效率GaN的機會。與之前的數位板非常相似的是，它為電源系統工程師提供了以往高壓設備市場所缺少的選擇。無論最終應用的針對性價值主張如何，我們都能提供各種工具集和最強大的GaN來幫助您取得成功。」
SuperGaN元件：性能超越超接合面MOSFET
TDTTP4000W065AN在板中採用Transphorm的SuperGaN Gen IV TP65H035G4WS FET作為快速開關支路，而低電阻矽MOSFET則用在慢速開關支路中。最終的性能與其數位控制產品TDTTP4000W066C相似。
TP65H035G4WS是採用TO-247通孔封裝且導通電阻為35毫歐的650伏元件，具有固有的高熱耗散能力。此功能消除了將元件並聯以輸出更高功率的需求，而這是具有競爭力的表面黏著GaN解決方案所需的一種設計方法。而且，與所有其他Transphorm GaN元件一樣，SuperGaN FET可以透過4伏閾值電壓(Vth)及0至12伏現成的標準閘極驅動電路來驅動。
供應情況
TDTTP4000W065AN評估板目前可透過Digi-Key和Mouser取得。
關於Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓GaN半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。在Twitter @transphormusa上掌握我們的最新動態。
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