(中央社訊息服務20200225 17:54:07)東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）發布XK1R9F10QB，這是一款100V N溝道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，適用於汽車的48V設備應用，例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。
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這款新產品是東芝採用溝槽結構的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款產品，採用該公司的最新[1]一代製程製造。它採用低電阻TO-220SM(W)封裝安裝，提供業界領先的低導通電阻[2]，最大導通電阻為1.92mΩ，與當前的TK160F10N1L相比下降約20%。這一進步有助於降低設備功耗。由於電容特性得到最佳化，它還提供更低的開關雜訊，從而有助於降低設備的EMI[3]。 此外，將閾值電壓寬縮小至1V，可以增強並聯時的開關同步性。
應用場合
汽車設備（負載開關、開關電源和馬達驅動等）
特性
・採用溝槽結構的U-MOS X-H系列MOSFET
・業界領先的低導通電阻
VGS=10V時，RDS(ON)=1.92mΩ（最大值）
・符合AEC-Q101要求
主要規格
（Ta=25°C時）
產品型號 極性 絕對最大額定值 漏源
導通電阻
RDS(ON)最大值
(mΩ) 溝道
到管殼的熱阻
Zth(ch-c)
最大值
(℃/W) 封裝 系列
漏源電壓
VDSS
(V) 漏電流
（直流）
ID
(A) 漏
電流
（脈衝）
IDP
(A) 溝道溫度
Tch
(℃) VGS
=6V時 VGS
=10V時
XK1R9F10QB
N溝道 100 160 480 175 3.31 1.92 0.4 TO-220SM(W) U-MOS X-H
注：
[1] 截至2020年2月25日
[2] 與具有相同VDSS最大額定值和封裝等級的產品進行比較；根據東芝調查，截至2020年2月25日。
[3] EMI（電磁干擾）
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