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東芝推出擁有業界領先低導通電阻的40V/45V N溝道功率MOSFET

中央社/ 2016.12.12 00:00
(中央社訊息服務20161212 17:24:50)擴大低電壓「U-MOS IX-H系列」MOSFET產品陣容

東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO:6502)旗下儲存與電子元件解決方案公司今日推出了40V和45V新產品,擴大其「U-MOS IX-H系列」低電壓N溝道功率MOSFET產品陣容,這些新產品提供業界領先的[1]低導通電阻和高速性能。這些新產品包括9款40V產品和5款45V產品,它們適用於工業和消費應用,包括高效率直流-直流轉換器、高效率交直流轉換器、電源和馬達驅動。出貨即日啟動。

這份智慧新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:http://www.businesswire.com/news/home/20161208006423/en/

新的MOSFET利用東芝最新一代低電壓溝槽結構U-MOS IX-H製程,實現了業界領先的[1]低導通電阻和高速性能。新結構降低了RDS(ON) * Qsw[2]的性能指標,將開關應用提高到新的高度,超越了東芝現有產品[3]。透過減小輸出電荷,實現輸出損耗改善,有助於提高裝置效率。此外,新MOSFET所使用的Cell結構經過最佳化,可抑制開關切換期間的尖峰電壓和暫態振盪,有助於降低裝置電磁干擾(EMI)。

主要特性

1. 業界領先[1]的低導通電阻

RDS(ON)= 0.80 mΩ(最大值)@VGS= 10V (TPWR8004PL)

RDS(ON)= 0.99 mΩ(最大值) @VGS= 10V (TPW1R005PL)

2. 低輸出電荷

3. 高速性能

4. 低開關雜訊

5. 支援4.5V邏輯電平驅動

[1]

在具有相同額定功率的產品類別中,截至2016年12月9日。東芝調查。

[2]

RDS(ON):漏源極導通電阻

Qsw:閘極開關電荷

[3]

使用上一代U-MOS VIII-H製程的東芝產品

[4]

新產品

有關新產品和東芝低電壓功率MOSFET產品陣容的更多資訊,請造訪如下連結:

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html

客戶詢問:

功率元件銷售與行銷部

電話:+81-3-3457-3433

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

本新聞稿中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊僅反映截至本新聞稿發布之日的情況,如有變動,恕不另行通知。

關於東芝

東芝公司是一家《財星》雜誌全球500大企業,致力於將其在先進電子和電氣產品及系統方面的一流能力運用於三大重點業務領域:更為清潔和安全的維持日常生活的能源業務;保持生活品質的基礎建設業務;以及實現先進的資訊社會的儲存業務。在東芝集團的基本承諾「為了人類和地球的明天」的指引下,東芝竭力推動全球業務,並致力於實現一個讓子孫後代可以享有更加美好的生活的世界。

東芝於1875年在東京成立,如今已成為一家有著550家附屬公司的環球企業,全球擁有超過188,000名員工,年銷售額逾5.6兆日圓(500億美元)。(截至2016年3月31日)

有關東芝的更多資訊,請造訪www.toshiba.co.jp/index.htm

原文版本可在businesswire.com上查閱:http://www.businesswire.com/news/home/20161208006423/en/

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Koji Takahata, +81-3-3457-4963

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訊息來源:business wire

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