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力晶:公告本公司取得日本專利局核發JP 5784788專利

鉅亨網/鉅亨網新聞中心 2015.09.30 00:00
第七條 第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/08/183.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$174,1234.其他應敘明事項:一種非揮發性半導體記憶裝置,包括:一非揮發性的記憶單元陣列;以及一控制電路,用以控制該記憶單元陣列的寫入。在抹除已寫入記憶單元之資料的抹除處理之前或之後,上述控制電路檢測寫入至上述記憶單元陣列時的寫入速度,決定每區塊或每字元線之對應該寫入速度的寫入開始電壓,儲存上述所決定的寫入開始電壓於上述記憶單元陣列,以及從上述記憶單元陣列讀出寫入開始電壓以寫入預定資料。

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