聯電TSV量產 獲超微繪圖卡單

聯電在矽穿孔技術發展獲重大突破，在與AMD緊密合作下，應用於AMD繪圖卡Radeon R9 Fury X的矽穿孔技術已進入量產階段，是雙方合作重要里程碑。

聯電表示，利用矽穿孔製程技術及晶粒堆疊技術，連結超微提供的高頻寬記憶體及繪圖處理器，有效提升超微繪圖卡效能。

聯電是在新加坡12吋特殊技術晶圓廠晶圓12i中，為超微代工生產繪圖卡產品。