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聯電攜手新思 合作布局14奈米FinFET製程

NOWnews/ 2015.06.22 00:00
記者許家禎/台北報導

聯電今(22)宣布,與全球IP矽智財授權領導廠商ARM合作基於聯電14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程生產的PQV測試晶片已經設計定案(tape out)。另外,聯電也與新思科技開發第2個聯電14奈米製程PQV測試,展現雙方布局14奈米FinFET製程的決心。

聯電表示,與全球IP矽智財授權領導廠商ARM合作基於聯電14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程生產的PQV測試晶片已經設計定案(tape out)。代表ARM Cortex-A系列處理器核心通過聯電高階晶圓製程驗證。此14奈米合作案延續自雙方成功將ARM Artisan® 實體 IP整合至聯電28奈米高介電金屬閘極(High K/Metal gate)量產製程。

聯電14奈米FinFET製程技術驗證,是聯電FinFET製程啟動其他IP生態系統的第一步,包括基礎IP矽智財(foundation IP)和ARM處理器實體設計。ARM實體IP設計事業部總經理Will Abbey表示,ARM和聯電已在數個技術世代上持續合作且成果卓越,而採用聯電14奈米FinFET製程的Cortex-A系列核心測試晶片正式設計定案,真的非常十分振奮。未來,ARM與聯電將針對此高階製程技術的研發持續保持緊密合作。

聯電負責矽智財開發與設計支援的王國雍副總則表示,在聯電準備向客戶提供14奈米FinFET製程之際,建立強大的設計支援基礎以強化14奈米平台的整體效益絕對是關鍵。ARM是先進製程的IP矽智財全球領導供應商,公司很高興能夠延續先前的成功經驗,將Artisan實體IP以及Cortex處理器解決方案納入聯電14奈米製程。

此外,聯電也與新思科技開發第2個聯電14奈米製程PQV測試,顯現雙方加速DesignnWare矽智財納入聯電14奈米FinFET製程的決心。王國雍表示,除了研發業界具競爭力的14奈米製程,以滿足當今最尖端晶片應用產品的需求外,聯電現正致力於建構相當完整的全方位支援架構,藉此加速14奈米客戶design-in的速度,以及協助客戶,能獲得功耗,效能與成本上的優勢。

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