ADI矽單刀雙擲開關為嚴苛的量測應用提供快速穩定時間

特定頻段應用的吸收式單刀雙擲（SPDT）開關，具備了在 8 GHz 操作時 48 dB 高隔離度和 0.6 dB 低插入損耗性能表現。HMC1118LP3DE

是 ADI

新型射頻和微波控制產品陣容中，首款展現矽製程技術先天優勢的產品，提供了超越傳統砷化鎵射頻開關的關鍵優勢。這些優勢包括比砷化鎵快一百倍的穩定時間，強大的靜電放電（ESD）保護（2000V

vs.砷化鎵的250V），並具有延長開關的低頻端較砷化鎵低一千倍的能力，同時維持高線性度。

HMC1118LP3DE 還提供了 4W 通過業界領先的 RF 功率處理功能與 0.5W 的熱切換工作模式。熱切換功率處理比使用類似 RF

頻寬的同級元件性能好兩倍以上，這讓工程師得以在應用方案和系統中增加容許的 RF 功率，而無損壞零件的風險。

HMC1118LP3DE 在高達 13 GHz 寬工作頻率範圍內達到高隔離度和極度平坦傳輸特性最佳化，同時維持降至 9 kHz

的高訊號保真度。這些特性組合使這款開關適用於要求嚴苛的量測、自動測試設備、國防電子和無線通訊應用方案，以作為較傳統砷化鎵開關一種更低成本的替代方案。

* 查看產品頁面下載及資料手冊：http://www.analog.com/hmc1118

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https://ez.analog.com/community/data_converters/high-speed_dacs

HMC1118LP3DE

單刀雙擲開關?主要特性：

* 非反射性50歐姆設計

* 正控制：0/+3.3 V

* 低插入損耗：在8 GHz 為 0.68 dB

* 高隔離度: 在 8 GHz 為 50 dB

* 9?KHz 低截止頻率

* 應用於 0.05 dB 最終射頻輸出位準,具7.5微秒快速穩定時間

* 業界領先的高功率處理功能：

o???? 35.5 dBm 直通路徑

o???? 27 dBm 的終止路徑和熱切換情況

* 高線性度：

o???? P1dB：+37 dBm (典型值)

o???? IIP3：+61 dBm (典型值)

* ESD額定值：2-KV HBM 價格和供貨情況

產品

每千顆單價

封裝

HMC1118LP3DE

$6.18

3-mm × 3-mm

QFN SMT

關於 ADI 公司

Analog Devices,

Inc.（簡稱：ADI）始終致力於設計與製造先進的半導體產品和優秀的解決方案，憑藉傑出的感測、測量和連接技術，搭建連接真實世界和數位世界的智慧化橋樑，從而協助客戶重新認識周圍的世界。詳情請瀏覽

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消息來源 ADI