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*:截至2015年5月18日，根據松下公司調查，該600-V增強型GaN功率電晶體的佔用空間。
**:X-GaN是松下公司的商標。
增強型電晶體的崩潰電壓為600V，該產品實現200V/ns的高速開關和54—154mΩ的低導通電阻[3]。松下公司將於2015年7月啟動10A型(PGA26E19BV)和15A型(PGA26E08BV)產品樣品出貨。
功率電晶體是用於控制電源的半導體元件。GaN是性能卓越的半導體化合物之一。當將它應用於電晶體時，可實現比矽(Si)和碳化矽(4H-SiC)更卓越的開關性能和更高的崩潰電壓。
我們的傳統型GaN功率電晶體採用高導熱表面黏著型封裝TO220（尺寸：15 x 9.9 x 4.6mm），然而該封裝還不夠小，而且電子設備印刷電路板上的安裝面積十分有限。
使用表面黏著型封裝時，寄生電感[4]降低，因此，可在600V高電壓下以8 x 8 x 1.25mm的更小尺寸實現GaN功率電晶體的內在特徵和出色的開關性能。功率電晶體正被快速引進電子設備中，它有助於降低能耗。
該產品將在2015年5月19-21日於德國紐倫堡舉行的2015年度電力轉換與智慧運動展覽會(PCIM 2015)上展出。
[產品特點]
1. 其採用新開發的全球最小GaN表面黏著型封裝DFN 8x8（8 x 8 mm x 1.25 mm，其佔用空間僅為公司傳統TO-220封裝產品的43%），專為GaN功率電晶體最佳化。
2. 表面黏著型封裝的採用降低了寄生電感，實現200V/ns的高速開關性能。
3. 在6英寸矽基板上實現的松下原創閘極注入電晶體(GIT)[5]實現了增強型模式。
GaN功率電晶體更便於應用於AC-DC電源裝置（功率因數校正、隔離DC-DC轉換器）、電池充電系統、PV功率調節器和EV逆變器。
松下公司擁有200項國內專利和180項海外專利，其中包括一些待審核的發明申請，例如，松下原創的GIT結構的基本專利US 8779438和利用常關操作的驅動系統的基本專利US 8299737。
這項工作部分受到日本新能源和工業技術發展組織(NEDO)之「節能技術專案策略發展」計畫的支持。
[術語解釋]
[1]
增強型
增強型電晶體是一種單元件電晶體，其能夠實現常關(normally-off)特徵，這是半導體元件的一種特徵，當未向閘極施加電壓時，可以防止電流在源極和漏極之間流動。
[2]
氮化鎵(GaN)
氮化鎵是三五族半導體，具有較寬的能帶隙（價帶和導帶之間）。能帶隙較大的材料通常具有更高的崩潰電壓。
[3]
導通電阻
導通電阻為電晶體通電（導電狀態）時電晶體源極和漏極之間的電阻。
[4]
寄生電感
寄生電感是存在於電子元件封裝中的意外電感分量。儘管這種電感對於頻率為50或60赫茲的電源裝置來說不是問題，但是它們可能是GaN電源裝置高速作業（工作頻率：幾百千赫茲到幾兆赫茲）的一個巨大障礙。
[5]
閘極注入電晶體(GIT)
GIT是一種最初由松下半導體解決方案公司研發的常關型GaN電晶體。新的工作原理根據空穴注入時漏極電流的增加，其被用於維持低導通電阻和增強型模式之間的相容性。
GaN產品網頁：
http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/
關於松下
松下公司是一家致力於為消費電子產品、住宅、汽車、企業解決方案及元件產業的客戶開發各種電子技術和解決方案的全球領軍企業。自1918年成立以來，松下已將業務擴張至全球，目前在全世界共經營468家附屬公司和94家聯營公司。截至2015年3月31日，其合併淨銷售額達7.715兆日圓。松下致力於透過各部門的創新來追求新的價值，並努力運用公司的技術為客戶創造更美好的生活和世界。如需松下詳情，請造訪公司網站：http://www.panasonic.com/global
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