應材高階光罩蝕刻　技術獨步業界

應用材料公司推出 Applied CenturaR Tetra? Z 光罩蝕刻系統，為業界所需的新一代光微影術光罩蝕刻技術，繼續精進多重曝影尺寸縮放至10奈米以下。應用材料公司領先業界的 Tetra 平台，透過新機台而再次擴充功能，提供所需的線寬 (CD) 參數「埃」(angstrom) 等級光罩精密度，滿足未來邏輯與記憶體裝置嚴苛的圖案製程規格。

應用材料公司光罩蝕刻產品處總經理瑞歐．耶拉曼奇里(Rao Yalamanchili)表示，Tetra Z 系統是最先進的光罩蝕刻技術，運用精密材料工程及電漿反應動力學的的精進科技，擴充了 193奈米微影術的應用。使用193奈米波長來製作10奈米或7奈米的圖案，需要各種最佳化技術，包括浸潤與多重曝影，高度仰賴光罩的運用。蝕刻技術是製造光罩的關鍵；Tetra Z 系統的與眾不同之處，在於能為新一代光學光罩的蝕刻，提供所需的精確度，製作先進節點設計的圖案。

應用材料公司針對進階的鉻、矽化鉬 (MoSI)、硬質光阻層和石英 (熔矽石) 蝕刻應用，開發了 Tetra Z 工具，以製造先進的二元式與相位移光罩 (phase-shift masks)。優越的系統展現了持續的技術創新與前所未見的線寬 (CD) 效能，將浸潤式微影術延伸應用於四重曝影與先進的解析度強化技術。用以確保圖形轉移保真度的重要功能，包括了針對所有特徵尺寸進行均勻的線性精密蝕刻，以及近乎零缺陷的圖案密度。

卓越的CD效能結合高蝕刻選擇比，得以運用更薄的光阻，在重要的裝置層上製作更小的光罩CD圖案。可控制的CD偏差功能，擴展了系統的彈性，能滿足客戶的特定需求。獨一無二的石英蝕刻深度控制技術，可確保精密的相位角度，也能讓客戶使用交替式光圈相位移光罩與無鉻相位微影術，推動積體電路的尺寸縮放製程。種種的關鍵技術進展，來自於各種系統改良，包括反應室的設計、電漿穩定性、離子與自由基控制、流量與壓力控制，以及即時製程監控。