回到頂端
|||

攻穿戴裝置市場 旺宏推高效能、超低功耗記憶體解決方案

鉅亨網/鉅亨網記者楊伶雯 台北 2015.01.20 00:00

旺宏推高效能、超低功耗記憶體解決方案攻穿戴裝置市場。(圖:旺宏提供)

穿戴式裝置市場快速起飛,IDC統計指出,到2018年市場總量約可擴大到1.12億台的規模,年複合成長率達78.4%,針對龐大的穿戴式裝置商機,旺宏(2337-TW)今(20)日宣布推出新系列高效能、寬電壓/超低功耗,適合穿戴式裝置的下世代NOR Flash記憶體解決方案,搶進穿戴裝置市場。

旺宏指出,針對龐大的穿戴式裝置商機,早已展開策略佈局,加速開發相關產品解決方案,例如寬電壓/超低功耗NOR Flash產品,希望在這個日益增長的市場搶佔一席之地。

旺宏宣布推出適合穿戴式裝置的下世代NOR Flash記憶體解決方案-MX25R產品家族,採用標準Serial NOR快閃記憶體介面、提供超小體積如USON、WLCSP的封裝產品,同時也可提供良裸晶KGD與主晶片搭配,Vcc寬電壓設計比傳統減少60%以上的超低功耗,可依照穿戴式產品不同需求來做選擇。

旺宏市場行銷處副處長林民正表示,「因應智慧穿戴式裝置的需求,低功耗、微小化的元件設計將會是穿戴式裝置能否快速普及的主要關鍵因素;下世代記憶體將會朝3方向發展,包括1介面採標準化,容易導入為優先、2外型規格越小越輕薄、3.供電設計以低電壓與低耗能為主。」

旺宏指出,目前廣泛應用在穿戴式產品的NOR Flash產品解決方案,除這次新推出的寬電壓/超低功耗MX25R產品家族外,還包括1.8V 512Kb~512Mb Serial NOR產品系列,可搭配KGD良裸晶、WLCSP晶圓級封裝等小尺寸封裝,MCP多晶片封裝記憶體也已有許多智慧穿戴科技產品紛紛選用。

旺宏表示,在創新記憶體技術的研發上也不遺餘力,主要為VG (vertical gate;垂直閘極)的3D NAND,採自家專利的BE-SONOS技術,突破製程極限;ReRAM (磁變電阻式記憶體)技術,具高速、低耗電、簡單儲存單元架構、未來更可應用在穿戴式應用產品。

社群留言