力成明年Q1 估略佳今年Q4

力成與美光科技(Micron)簽訂一系列半導體封裝投資合約，力成將透過第三地於中國大陸西安設立子公司，設立標準型動態隨機存取記憶體(Commodity DRAM)封裝廠。

洪嘉(金俞)表示，明年力成記憶體、邏輯晶片和快閃記憶體(flash)三大產品線業績比重，持續三足鼎立，各維持1/3比重。力成持續布局利基型DRAM和行動記憶體(Mobile DRAM)封測領域。

展望標準型記憶體發展，洪嘉(金俞)認為，需觀察明年和後年英特爾(Intel)布局動向。

在高階邏輯晶片封裝，洪嘉(金俞)表示，力成持續布局高階系統單晶片(SoC)的系統級封裝(SiP)領域，邏輯晶片封裝布局進度持續穩健。

展望今年第4季稼動率，洪嘉(金俞)預期，力成封裝和測試產品稼動率，大約在7成區間。

展望明年第1季，洪嘉(金俞)預期，力成明年第1季表現可比今年第4季略佳。明年第1季標準型記憶體封測表現可，較今年第4季略佳。

力成先前預期，明年整體業績表現，以創下歷年新高為目標。