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交大低功耗技術 手機可撐10天

中央社/ 2014.10.24 00:00
(中央社記者陳至中台北24日電)交通大學電子工程系教授荊鳳德開發出超低功耗的電子元件技術,可降低積體電路功率達10倍,未來應用在行動裝置上,可望10天才需要充1次電。

荊鳳德帶領研究團隊開發的「超低功耗快速上升電晶體及單電晶體動態隨機存取記憶體」,登上最近的IEEE Newsletter通訊封面故事,獲得學界重視。

荊鳳德研究團隊結合多項技術,包括以鍺取代傳統的矽,作為電晶體的傳導材料,使電晶體工作電壓從目前的0.7伏特降低至0.35伏特,大幅改善功率。

另外,荊鳳德運用美國普渡大學提出的「負電容電晶體」理論,領先世界第一個開發出成功的電晶體,使用高介電係數氧化鉿鋯的「鐵電效應」,形成等效負電容。

研發團隊指出,上述技術可使電晶體開啟時,電流與電壓都快速上升,降低積體電路功率達10倍之多,也就是說,未來手機等行動裝置,可望10天才需要充1次電。

交大目前正尋求IBM、東芝等企業合作,將研發成果用於實際產品。

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