華邦電總經理詹東義表示，第3季在產品組合優化，加上製程技術推進效益顯現，毛利率22%，並維持獲利。(鉅亨網記者黃佩珊攝)
記憶體製造廠華邦電(2344-TW)連續2季獲利，第3季稅後淨利為1.37億元，每股純益0.04元，累計前3季每股純益0.14元。總經理詹東義表示，華邦電拓展中低容量行動記憶體市場將開花結果，並將致力生產編碼儲存快閃記憶體，因此，決定擴大產品線，為了因應明、後年營運成長，董事會核准47億元資本支出，金額為近今年資本支出24億元的1倍。
華邦電總經理詹東義在法人說明會表示，華邦電第3季在產品組合優化，加上製程技術推進效益顯現，毛利率22%，並維持獲利，稅後淨利1.37億元，每股純益0.04元。累計前3季合併營收為248.3億元，稅後淨利2.16億元，每股純益0.14元。
華邦電第3季合併營業為83.09億元，季減6%；營業毛利率為22%，稅後純益約為1.37億元，每股純益0.04元。累計前3季合併營收為248.3億元，稅後純益為2.16億元。第3季各產品線占營收比例，Specialty DRAM為48%，NOR Flash為41%，Mobile RAM為11%。
詹東義表示，在PC、手機市場需求趨緩及價格競爭壓力下，快閃記憶體(NOR Flash)營收較第2季下滑，但58nm Flash產品出貨比例增加，佔Flash營收比重為46%，有助提升產品價格競爭力。
在Flash產品方面，將於第4季發表512MB及1Gb Code Storage Flash新產品，以滿足客戶需求。而利基型記憶體(Specialty DRAM)方面，第3季營收表現較上季下滑2%。而46nm製程產品佔營收比重由前季的35%提升至42%，有助於成本結構的改善。
在第3季終端需求不如預期、產業市況有利供給面情況下，Specialty DRAM產品透過產品優化組合，毛利持續改善。行動記憶體(Mobile RAM)受功能性手機市場需求疲弱下，營收衰退。而低耗電記憶(Low-Power DRAM)佔行動記憶體(Mobile RAM)產品線之營收，則由前3季55%拉升至61%。