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華邦電Q3每股賺0.04元 明後年營運將大幅成長

鉅亨網/鉅亨網記者黃佩珊 台北 2013.10.25 00:00

華邦電總經理詹東義表示,第3季在產品組合優化,加上製程技術推進效益顯現,毛利率22%,並維持獲利。(鉅亨網記者黃佩珊攝)

記憶體製造廠華邦電(2344-TW)連續2季獲利,第3季稅後淨利為1.37億元,每股純益0.04元,累計前3季每股純益0.14元。總經理詹東義表示,華邦電拓展中低容量行動記憶體市場將開花結果,並將致力生產編碼儲存快閃記憶體,因此,決定擴大產品線,為了因應明、後年營運成長,董事會核准47億元資本支出,金額為近今年資本支出24億元的1倍。

華邦電總經理詹東義在法人說明會表示,華邦電第3季在產品組合優化,加上製程技術推進效益顯現,毛利率22%,並維持獲利,稅後淨利1.37億元,每股純益0.04元。累計前3季合併營收為248.3億元,稅後淨利2.16億元,每股純益0.14元。

華邦電第3季合併營業為83.09億元,季減6%;營業毛利率為22%,稅後純益約為1.37億元,每股純益0.04元。累計前3季合併營收為248.3億元,稅後純益為2.16億元。第3季各產品線占營收比例,Specialty DRAM為48%,NOR Flash為41%,Mobile RAM為11%。

詹東義表示,在PC、手機市場需求趨緩及價格競爭壓力下,快閃記憶體(NOR Flash)營收較第2季下滑,但58nm Flash產品出貨比例增加,佔Flash營收比重為46%,有助提升產品價格競爭力。

在Flash產品方面,將於第4季發表512MB及1Gb Code Storage Flash新產品,以滿足客戶需求。而利基型記憶體(Specialty DRAM)方面,第3季營收表現較上季下滑2%。而46nm製程產品佔營收比重由前季的35%提升至42%,有助於成本結構的改善。

在第3季終端需求不如預期、產業市況有利供給面情況下,Specialty DRAM產品透過產品優化組合,毛利持續改善。行動記憶體(Mobile RAM)受功能性手機市場需求疲弱下,營收衰退。而低耗電記憶(Low-Power DRAM)佔行動記憶體(Mobile RAM)產品線之營收,則由前3季55%拉升至61%。

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