第七條　第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:102/08/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT＄45,8004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體，包括基底、隔離結構、浮置閘極以及穿隧層。隔離結構設定在基底中且突出於基底，浮置閘極為位在突出於基底之隔離結構的側壁上的導體間隙壁，以及穿隧層位在每一浮置閘極與基底之間。另，也敘述一種非揮發性記憶體的製程，包括在基底中形成突出於基底的隔離結構、在基底上形成穿隧層以及接著形成浮置閘極，其中浮置閘極為形成在突出於基底的隔離結構的側壁上的導體間隙壁。