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台積電明年資本支出 估120億美元

自由時報/ 2013.09.05 00:00
〔自由時報記者洪友芳/新竹報導〕半導體業投資門檻越來越高,為了取得先進製程的領先地位,半導體大廠將持續展開投資競賽。外資法人瑞銀證券昨出席半導體論壇指出,半導體大廠因應10奈米及以下技術突破,未來幾年都將維持高資本支出,估台積電(2330)明年資本支出可望達120億美元歷史新高,較今年增20%,超過英特爾及三星。

國際半導體展(SEMICON Taiwan 2013)昨揭幕,瑞銀證券參與半導體市場趨勢論壇表示,英特爾、三星及台積電等半導體大廠不僅不會在下世代的16、14奈米製程缺席,在10奈米及以下製程也都會維持高資本支出,以尋求技術突破與領先同業,預估台積電明年資本支出將達120億美元,英特爾、三星明年資本支出則分別估110億美元、101.6億美元,格羅方德約為55億美元。

美林證券認為,英特爾、台積電、三星在晶圓代工展開競爭,尤其英特爾積極跨入晶圓代工,與台積電未來幾年資本支出都將維持高檔水準。

就12吋產能比較,台積電去年年產能為890萬片8吋約當晶圓,英特爾為570萬片8吋約當晶圓,預估2013年,台積電年產能將達到1040萬片8吋約當晶圓,英特爾將追高到790萬片8吋約當晶圓,明年台積電年產能將達1220萬片8吋約當晶圓。

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