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力旺宣布與聯電擴大技術合作 製程延伸至先進製程

鉅亨網/鉅亨網記者蔡宗憲 台北 2013.06.11 00:00
IC設計力旺(3529-TW)宣布,與聯電(2303-TW)(UMC-US)持續擴大技術合作,將力旺開發之OTP(One-Time-Programmable embedded non-volatile memory,單次可程式嵌入式非揮發性記憶體)及MTP(Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory, 多次可程式嵌入式非揮發性記憶體)技術,廣泛佈建在聯電之0.18微米至28奈米世代之製程平台,佈建範圍橫跨成熟與先進製程,可提供客戶全方位之嵌入式非揮發性記憶體解決方案,積極擴展eNVM全方位技術版圖之決心。

聯電與力旺自2006年開始展開合作,聯電將力旺單次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術成功佈建於其0.18微米以下之製程平台。

力旺表示,eNVM技術應用廣泛,涵蓋智慧型手機與平板電腦之電源管理晶片、高階液晶顯示器驅動晶片、觸控面板控制晶片、電源計量晶片、感測器控制晶片、音訊編解碼晶片與近場無線通訊晶片等各項主流消費性電子產品領域。

此次力旺與聯電擴展合作範圍,聯電除擴增採用力旺電子之OTP技術,更擴大導入MTP技術領域,將能以更完整之嵌入式非揮發性記憶體製程平台,強化技術服務支援廣度。

力旺近年致力全方位可程式嵌入式非揮發性記憶體之技術開發,目前產品線包括NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash、NeoEE等系列性技術與矽智財,為能在OTP及MTP嵌入式非揮發性記憶體技術領域,提供全方位完整佈局之矽智財服務之廠商。

力旺總經理沈士傑表示,與聯電長期合作,可整合雙方之專業分工與研發能量,提供IC設計客戶性能卓越且品質可靠的嵌入式非揮發性記憶體平台。

展望未來,力旺指出,與聯電合作將能強化彼此競爭優勢,以更多元的嵌入式非揮發性記憶體技術以及高效能之製程平台,擴展各製程世代應用領域的廣度與深度。

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