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Spin Transfer Technologies任命新技術長

中央商情網/ 2013.02.21 00:00
(中央社2013年2月21日電)根據美國商業資訊報導,MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)技術開發商Spin Transfer Technologies, Inc. (STT)今天宣布,Mustafa Pinarbasi博士已經被任命為技術長兼磁學技術資深副總裁。

Pinarbasi博士將領導STT的磁學研發團隊。

在加入STT之前,Pinarbasi博士任職於薄膜太陽能公司SoloPower,擔任技術長。職業生涯的前18年,他作為磁性材料和薄膜技術專家,任職於IBM和Hitachi Global Storage Technologies (GST)(前身為IBM,如今隸屬於Western Digital公司)。

在IBM,Pinarbasi博士率先在磁頭產業採用離子束濺射沉積技術-一種創新的導體和硬磁製程。憑藉在開發巨磁阻感測器(促成全球首款採用巨磁阻的硬碟驅動器的誕生)方面的工作,他於2000年榮獲「IBM企業獎」。同年,他還憑藉為薄膜磁領域做出的貢獻當選「IBM傑出工程師」。

Spin Transfer Technologies執行長Barry Hoberman表示:「我們很高興磁性薄膜領域的先鋒和創新者Pinarbasi博士將領導Spin Transfer Technologies的核心技術研發工作。Pinarbasi博士在領導先進磁學技術團隊以及將早期技術轉變為世界級量產產品方面擁有豐富的經驗和優異的表現,這在公司的產品開發過程中將發揮重要作用。」

Spin Transfer Technologies的Orthogonal Spin Transfer磁阻式隨機存取記憶體(OST-MRAMTM)是以自旋轉移的MRAM設備領域為基礎的顛覆性創新。它可以降低製造設備成本、實現更快速的翻轉、減少帶電操作以及擴展至更小的光刻尺寸。

繼完成由私募投資公司Allied Minds和景順(Invesco)領導的3600萬美元私募投資融資之後,該公司於2012年10月在加州Fremont設立其矽谷辦事處。Spin Transfer Technologies是總部位於波士頓的Allied Minds的子公司。

Pinarbasi博士說:「OST-MRAMTM的市場潛力非常龐大,我很高興能夠成為Spin Transfer Technologies傑出團隊的一員。該公司已經取得了重大進步,我期待在現有成功的基礎上進一步提升這項創新技術。」

在加入STT之前,Pinarbasi博士曾領導SoloPower的技術工作,在那裡建立成功開發出卷帶式薄膜光電沉積製程和設備的綜合技術團隊,並率先推出業界首款靈活和重量輕並通過美國和歐洲標準認證的CIGS(銅銦鎵硒)太陽能模組。

在加入SoloPower之前,Pinarbasi博士在Hitachi GST任職五年時間,在那裡領導用於硬碟驅動器產品的隧穿磁電阻(TMR)讀頭處理技術的開發。他是一位發明家,在薄膜磁性材料和處理、自旋閥感測器、磁性隧道結、奈米結構和太陽能電池領域擁有超過177項美國專利和25項正在申請的專利。

他撰寫或與他人合著30多種與薄膜材料、磁多層結構、處理、工具作業、產品開發和可靠性相關的科技出版物。在其職業生涯中,他榮獲眾多獎項,包括Hitachi GST頒發的「黃金專利」獎以及IBM頒發的「傑出技術成就」和「傑出創新」獎。Pinarbasi博士持有伊利諾大學香檳分校的材料科學與工程博士學位。

關於Spin Transfer Technologies Spin TransferTechnologies, Inc.由Allied Minds和紐約大學共同創立,以開發Orthogonal Spin Transfer磁阻式隨機存取記憶體技術OST-MRAMTM並使其商業化。該技術由AndrewKent教授發明,是採用自旋轉移的MRAM設備領域的顛覆性創新,可以降低製造設備成本、實現更快速的翻轉、減少帶電操作以及擴展至更小的光刻尺寸。

關於Allied Minds Allied Minds是美國的一家投資公司,根據由著名的美國大學和聯邦研究機構開發的早期技術,部署私募股權來成立、資助、管理和打造新創企業。作為一家多元化控股公司,Allied Minds為旗下企業提供資本、管理和共用服務支援,並且是利用這種新穎和完全整合的方法來實現技術商業化的頂尖投資公司。如需詳情,請造訪www.alliedminds.com。

聯絡方式:Spin Transfer Technologies Kerry Elliott, +1-408-893-8554 pr@spintransfer.com

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