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聯電攜手星科金朋展示開放供應鏈3D IC 整合28奈米

聯電(2303-TW)(UMC-US)與加坡半導體封測廠商星科金朋(STATS ChipPAC)今(29)日共同宣佈,展示全球第一件在開放式供應鏈環境下合作開發的內嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術。

雙方宣布展示的3D晶片堆疊,由Wide I/O記憶體測試晶片和內嵌TSV的28奈米微處理器測試晶片所構成,並且達成封裝層級可靠度評估重要的里程碑。此次的成功,證明了透過聯電與星科金朋的合作,在技術和服務上結合晶圓專工與封測供應鏈,將可以順利實現高可靠度3D IC製造的全面解決方案。

星科金朋技術創新副總Shim Il Kwon表示,在開放式供應鏈的合作模式下,晶圓專工業尖端的TSV、前段晶圓製程可以與封測業高度創新的中段、後段3D IC堆疊封測製程整合成互補的完整平台,為半導體市場驅動可靠的3D IC解決方案。很高興聯電作為晶圓專工夥伴所做的承諾與投入,並且期待雙方在未來更進一步的合作。此次推出的解決方案平台,將可協助客戶掌握新市場契機。

聯電先進技術開發處副總簡山傑表示,雙方認為3D IC毋須侷限在封閉的商業模式之下開發,因此聯電致力與所有主要的封測夥伴合作開發3D IC,並且都有相當程度的進展。聯電與封測領導廠商,例如星科金朋之間的豐碩合作成果,更加確立了3D IC開放式供應鏈的運作方式。對3D IC客戶而言,此模式將可運作特別順暢,因為在開發與執行過程中,晶圓專工與封裝測試廠商可以充分發揮各自的核心優勢,與封閉式3D IC開發模式相比,客戶將受惠於更高的供應鍊管理彈性,以及技術取得更加透明。

聯電與星科金朋經驗證的3D IC開放式供應鏈,為業界供應鍊間的合作,建立了實現共贏的重要範例與標準。在此一合作開發計畫中,聯電所提供的前段晶圓製程,包含晶圓專工等級細間距、高密度TSV製程,可順暢地與聯電28奈米Poly SiON製程相整合。此專案獲取的know-how也將運用於聯電28奈米Hign-K/metal gate製程。而中段與後段製程部分,則由星科金朋執行晶圓薄化、晶圓背面整合、細微線距銅柱凸塊,與高精密度晶片對晶片3D堆疊等。

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