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東芝開發緊湊型MOS可變電抗器模擬模型

中央商情網/ 2013.01.16 00:00
(中央社2013年1月16日電)美國商業資訊報導,東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)宣布開發精確度從DC(直流)至毫米波(60 GHz)的緊湊型MOS可變電抗器模擬模型。

新模型由東芝和岡山縣立大學(Okayama Prefectural University)的Nobuyuki Itoh教授共同研製。

新的緊湊型MOS可變電抗器模型引進原始演算法來表達尺度效應,並可捕捉到支配60 GHz範圍的寄生效應的影響。針對元件大小不同的樣品,使用了1 MHz - 60GHz的測量參數進行建模。一般而言,很難透過單模型來表示MOS可變電抗器,但是新開發的模型卻成功做到了這一點。

新模型能夠準確捕捉到寄生效應,這就為實現RF-CMOS產品的低功耗提供了支援。東芝將利用基礎技術來開發此類晶片,而這些晶片是該公司模擬與影像積體電路部門的主要裝置。受惠於目前已取得的成效,東芝預計將來可精確地對CMOS毫米波電路進行模擬。

透過自身的65 nm RF-CMOS技術,東芝已經打造出了元件長度從0.26 um至2.0 um不等的樣品,並使用這些樣品對新模型進行了驗證。所有尺寸的元件均取得了DC至67 GHz的精確度。

該模型的驗證工作是在60 GHz電路上完成的。東芝使用這種用於調頻元件的模型對60 GHz VCO控制電壓上的相位雜訊水準依賴性進行了測量,並與電路模擬進行了比較。結果顯示,測量精度達8 dB,優於傳統模型。

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