集邦認為，DRAM現貨價格起漲主要原因除了減產效應發酵之外，中國低價平板電腦MID「Mobile Internet Device」出貨暢旺，也是驅動DRAM價格止跌起漲的重要因素。
集邦觀察，本週DRAM現貨市場已有買氣升溫的態勢，DDR2 2Gb eTT及DDR2分別上漲1.24%及1.09%，一線模組大廠也在10月份開始悄悄增加庫存水位，交易活絡下，現貨買家也有增加庫存水位的趨勢，營造價格反彈的契機。
而隨著今年下半年DRAM價格跌幅擴大，各DRAM廠面臨逼近甚至跌破現金成本的困境紛紛展開減產，8月開始爾必達與瑞晶(4932-TW)率先啟動減產機制，力晶(5346-TW)也從9月降低P3廠的標準型記憶體投片量，10月華亞科(3474-TW)同樣正式宣佈減產20%，總計全球DRAM投片量從今年高點減少至今約10萬片，減少幅度約9%。
在廠商紛紛降低標準型記憶體產出下，集邦推估，明年DRAM市場年成長率將創下自2009年金融風暴後最低成長率，僅有19.8%，較今年的28.1%的年成長率大幅下修，並預產品標準型記憶體占明年總產出比重僅剩32%，預期明年第1季之後，DRAM產業供需狀況可望正式回歸健康水準。