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《台股點金術》專利商機可期 旺宏爆量漲停

自由時報/ 2012.12.06 00:00
旺宏(2337)︰在快閃記憶體缺陷修復新研究提出,可使元件達到上億次編寫及抹除,約為現有先進快閃記憶體規格的10萬倍以上,因這項研發技術受國際媒體矚目,市場解讀專利授權商機可期,帶動昨股價漲停,成交量大增到逾6萬張。

微電子元件界的奧林匹克盛會IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting),將於12月10~12日在美國舊金山舉行,屆時將會有全球半導體等領域的傑出研究成果發表,今年共有203篇技術論文入選,旺宏佔5篇,其中更有2篇獲得大會評選為焦點論文(Highlight Paper),超越國際指標大廠。

旺宏總經理盧志遠指出,這顯示旺宏在全球先進記憶體領域的競爭實力。旺宏入選的5篇論文中就有3篇專注在3D記憶體研究,1篇跟快閃記憶體的自我缺陷修復技術有關,1篇是有關變化記憶體新材料的開發。

其中快閃記憶體的自我缺陷修復技術的論文,獲得IEEE專業旗艦雜誌IEEE Spectrum的12月專門報導,吸引多家國際科技媒體矚目並引用。旺宏指出,快閃記憶體經過高壓操作重複的編寫及抹除後,無可避免會產生材料缺陷,產品有一定的使用期限,旺宏研究後提出藉電流造成區域性的熱源修復材料的缺陷,這有如人體的「幹細胞」可自我修復後天的殘障,可使元件達到上億次編寫及抹除,約為現有先進快閃記憶體規格的10萬倍以上。

旺宏挾研究論文獲選,加上傳出NOR快閃記憶體獲索尼、任天堂2大遊戲機廠採用,昨股價漲停,以8.96元作收,為1個多月以來高價,成交量放大到6.2萬張。

(記者洪友芳)

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