微電子元件界的奧林匹克盛會IEDM（IEEE International Electron Devices Meeting），將於12月10~12日在美國舊金山舉行，屆時將會有全球半導體等領域的傑出研究成果發表，今年共有203篇技術論文入選，旺宏佔5篇，其中更有2篇獲得大會評選為焦點論文（Highlight Paper），超越國際指標大廠。
旺宏總經理盧志遠指出，這顯示旺宏在全球先進記憶體領域的競爭實力。旺宏入選的5篇論文中就有3篇專注在3D記憶體研究，1篇跟快閃記憶體的自我缺陷修復技術有關，1篇是有關變化記憶體新材料的開發。
其中快閃記憶體的自我缺陷修復技術的論文，獲得IEEE專業旗艦雜誌IEEE Spectrum的12月專門報導，吸引多家國際科技媒體矚目並引用。旺宏指出，快閃記憶體經過高壓操作重複的編寫及抹除後，無可避免會產生材料缺陷，產品有一定的使用期限，旺宏研究後提出藉電流造成區域性的熱源修復材料的缺陷，這有如人體的「幹細胞」可自我修復後天的殘障，可使元件達到上億次編寫及抹除，約為現有先進快閃記憶體規格的10萬倍以上。
旺宏挾研究論文獲選，加上傳出NOR快閃記憶體獲索尼、任天堂2大遊戲機廠採用，昨股價漲停，以8.96元作收，為1個多月以來高價，成交量放大到6.2萬張。
（記者洪友芳）