張懋中拚研究 交大頒名譽博士

交大校長吳妍華表彰張懋中在學術界及產業界的重要貢獻，她表示，張懋中於1979年畢業於交大電子研究所，也是中華民國國家工學博士，1997年獲得交大傑出校友獎，2008年獲頒交大榮譽教授，與交大淵源至深。

交大表示，張懋中現任職於美國加州大學洛杉磯分校講座與傑出教授暨電機工程系主任，90年代於洛克威爾科學中心高速電子實驗室，與研究團隊完成「異質結雙極性高速電晶體」（HBT）與其積成電路的研究與開發，並成功量產。

該技術現已成為手機必備發射器元件，是過去20年來從第2到第4代手機功率放大器的當然首選，其所開發的MOCVD HBT與BiFET功率放大器所製成的手機已經超過50億台。

張懋中表示，他一生歷經多次十字路口抉擇，首先是在1972年台灣大學物理系畢業時，進入清華大學材料研究所，兩年後進入交大電子研究所；歷經兩次研究學門的更換及3校各具特色的校風，增長眼界及為學方法。

他說，第2次抉擇是在進入洛克威爾科學中心高速電子實驗室，於砷化鎵異質雙極性電晶體等研究有了重要成果後，接受UCLA的邀請，開始長達15年的學術研究與教學生涯。

他表示，過去30年來屢次在生涯的十字路口跨出自己所熟悉的領域，從頭打拚，雖充滿了冒險和不可知性，但也走了別人未曾或很少走過的路，開發了新的研究領域。

張懋中曾發表320篇論文，並擁有25項美國專利，他在今年7月獲得中央研究院院士殊榮。