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旺季到 記憶模組廠成長可期

中央社/ 2012.11.04 00:00
(中央社記者張建中新竹4日電)隨著DRAM價格止跌回穩,NAND Flash價格走揚,記憶體模組廠第4季旺季業績成長可期。

動態隨機存取記憶體(DRAM)供過於求情況嚴重,第3季價格一路滑落;儲存型快閃記憶體(NAND Flash)則在供應商減產效應發酵,加上系統廠新機備貨需求增溫,價格呈先蹲後跳走勢。

受DRAM價格不斷破底衝擊,國內DRAM製造廠第 3季虧損同步擴大,包括力晶、南科及華亞科3家 DRAM廠合計虧損逼近新台幣200億元,較第2季增加66.5億元,增幅達52%。

隨著虧損擴大,DRAM製造廠財務狀況進一步惡化,力晶第3季底每股淨值轉為負1.36元,股票將於12月11日終止櫃檯買賣。

華亞科第3季底每股淨值則跌破5元關卡,滑落至4.75元,將淪為全額交割。

南科第3季底每股淨值僅剩0.12元,為避免股票面臨下櫃危機,並因應製程技術推進至30奈米資金需求,南科計劃辦理109.35億股額度內私募增資。

儘管第3季DRAM與NAND Flash價格同步走跌,不過,NAND Flash價格於9月止跌反彈,部分記憶體模組廠受惠NAND Flash低價存貨效益,致記憶體模組廠第3季營運表現明顯不同調。

以DRAM產品為主的商丞及品安,第3季深受DRAM價格下跌影響,兩公司營運同步虧損,每股虧損分別為0.45元及0.25元。

威剛也因DRAM價格走跌衝擊,第3季稅後淨利驟降至3490萬元,較第2季減少達78.82%,每股純益約0.17元。

創見則受惠工業控制市場布局效益顯現,加上有效庫存管理,第3季獲利得以逆勢成長,達9.31億元,季增29.5%,並創下近11季來新高紀錄,每股純益2.16元。

以NAND Flash產品為大宗的廣穎電通,因受惠低價庫存效益,第3季稅後淨利達1.08億元,更較第2季成長達1.22倍,表現亮麗,每股純益約1.93元。

營運與NAND Flash密切關聯的記憶體控制晶片廠群聯電子,第3季營運同樣有不錯表現,稅後淨利達8.22億元,季增達4成,每股純益4.6元。

展望未來,隨著供應商減產效應逐步發酵,DRAM產品價格逐步止跌回穩,NAND Flash在多數供應商持續採取供貨控管策略,加上手機及平板電腦備貨動能依然強勁,產品價格可望延續攀升走勢。

不僅DRAM製造廠虧損可望改善外,記憶體模組廠也普遍看好,第 4季旺季效應應可發酵,營運表現將可較第3季成長。

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