動態隨機存取記憶體(DRAM)供過於求情況嚴重，第3季價格一路滑落；儲存型快閃記憶體(NAND Flash)則在供應商減產效應發酵，加上系統廠新機備貨需求增溫，價格呈先蹲後跳走勢。
受DRAM價格不斷破底衝擊，國內DRAM製造廠第 3季虧損同步擴大，包括力晶、南科及華亞科3家 DRAM廠合計虧損逼近新台幣200億元，較第2季增加66.5億元，增幅達52%。
隨著虧損擴大，DRAM製造廠財務狀況進一步惡化，力晶第3季底每股淨值轉為負1.36元，股票將於12月11日終止櫃檯買賣。
華亞科第3季底每股淨值則跌破5元關卡，滑落至4.75元，將淪為全額交割。
南科第3季底每股淨值僅剩0.12元，為避免股票面臨下櫃危機，並因應製程技術推進至30奈米資金需求，南科計劃辦理109.35億股額度內私募增資。
儘管第3季DRAM與NAND Flash價格同步走跌，不過，NAND Flash價格於9月止跌反彈，部分記憶體模組廠受惠NAND Flash低價存貨效益，致記憶體模組廠第3季營運表現明顯不同調。
以DRAM產品為主的商丞及品安，第3季深受DRAM價格下跌影響，兩公司營運同步虧損，每股虧損分別為0.45元及0.25元。
威剛也因DRAM價格走跌衝擊，第3季稅後淨利驟降至3490萬元，較第2季減少達78.82%，每股純益約0.17元。
創見則受惠工業控制市場布局效益顯現，加上有效庫存管理，第3季獲利得以逆勢成長，達9.31億元，季增29.5%，並創下近11季來新高紀錄，每股純益2.16元。
以NAND Flash產品為大宗的廣穎電通，因受惠低價庫存效益，第3季稅後淨利達1.08億元，更較第2季成長達1.22倍，表現亮麗，每股純益約1.93元。
營運與NAND Flash密切關聯的記憶體控制晶片廠群聯電子，第3季營運同樣有不錯表現，稅後淨利達8.22億元，季增達4成，每股純益4.6元。
展望未來，隨著供應商減產效應逐步發酵，DRAM產品價格逐步止跌回穩，NAND Flash在多數供應商持續採取供貨控管策略，加上手機及平板電腦備貨動能依然強勁，產品價格可望延續攀升走勢。
不僅DRAM製造廠虧損可望改善外，記憶體模組廠也普遍看好，第 4季旺季效應應可發酵，營運表現將可較第3季成長。