聯電推高壓製程攻觸控市場

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13 年前

(中央社記者張建中新竹2012年10月19日電)晶圓代工廠聯電(2330)今天宣布，12V高壓嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程順利通過驗證，將主打觸控晶片市場。

聯電表示，12V高壓eFlash製程可將中大尺寸觸控晶片所需的驅動高壓，及存放演算法所需的eFlash，結合於一顆單晶片中，並可改善信噪比(SNR)。

聯電指出，0.18微米及0.11微米12V高壓eFlash製程已獲數家觸控晶片廠採用，並量產出貨。