TSV及WLP新解決方案研發中

作為此項非排他性協議的一部分，雙方將開發一套用於大量三維矽穿孔半導體封裝設備製造的材料和設備系統。透過合作，道康寧和休斯微技術公司將共同努力，克服市場在推動三維矽穿孔和三維晶片級封裝(WLP)商用化方面所面臨的挑戰。

道康寧的矽材料由黏合劑和脫膜層組成，採用雙層旋塗和鍵合處理針對簡單製程進行最佳化。與休斯微技術公司的設備結合之後，這套綜合解決方案具有採用標準製造方法進行簡單鍵合的優勢，可相容中間穿孔和仲介層矽穿孔製程的熱要求和化學要求，可實現先進封裝應用所需的更快速室溫解鍵合。

支援矽穿孔技術的商用化將讓半導體公司能夠縮小半導體封裝尺寸，以滿足客戶對更小、更薄、更快且功能更強大的電子設備的持續需求。使用矽穿孔技術將兩個或三個晶片垂直堆疊起來是降低印刷電路板(PCB)封裝的可行方法之一，但是這需要產業找到一種使用臨時鍵合技術來處理薄晶片的解決方案。

道康寧電子解決方案副總裁Jim Helwick評論說：「休斯微技術公司是晶片鍵合和三維矽穿孔、晶片級封裝、微電子機械系統(MEMS)應用市場公認的領導者。透過利用其設備專長，道康寧可以為客戶提供能夠滿足其複雜三維封裝要求的系統解決方案。」

休斯微技術公司總裁兼執行長Frank P. Averdung表示：「我們很高興與道康寧這樣的技術和材料創新企業合作。與道康寧的合作加快了製程開發，對於那些有興趣使用道康寧和休斯微技術公司臨時鍵合材料和設備的客戶而言，這次合作將有助於加快解決方案的實施。」

道康寧在半導體封裝矽創新和合作方面有著悠久歷史。從裸片應力消除密封劑、密封和鍵合黏合劑到高性能的可靠熱介面材料，無論客戶位於何處，道康寧完善的全球基礎建設均可確保可靠的供應、品質和支援。