宜特指出，28奈米是現今市場上各大廠欲跨入之製程，此製程可為IC產品帶來更高效能，更低功耗，與更輕薄短小尺寸，符合現今行動裝置的需求，因此許多大廠紛紛導入。
宜特表示，近年晶圓代工廠包含台積電(2330-TW)、聯電(2303-TW)、三星與格羅方德(Global Foundries)皆陸續在28奈米有好消息，台積電去年底率先量產28奈米製程產品，並估今年28奈米製程產品將達整體營收10%，而聯電近期也傳接獲數間大廠的28奈米訂單，並進入試產階段。
不過，宜特認為，28奈米製程也有技術上之挑戰，由於在設計與佈局上的複雜度升高，並難有一套通用的可製造性設計確保設計與佈局之正確性，將導致IC設計業者須進行更頻繁的光罩改版，增加時間成本與金錢成本的負擔。
因此，許多業者採用FIB(Focused ion beam)，藉此省去光罩改版的時間與金錢成本，宜特指出，FIB在28奈米產品的除錯與驗證上，勢必扮演更重要的角色。
宜特強調，2010年即展開28奈米IC線路修改的研究與佈局，針對最底層(Metal 1)的極小線路作修改測試，並從極小間距中，研究如何設定正確參數將訊號引出，還可利用獨有的低阻值連線技術(宜特已有中華民國專利)，克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真，目前在各個環節上均已完成驗證，技術能量已可滿足現今所有先進製程產品的除錯與驗證需求。