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宜特IC偵錯突破28奈米技術門檻

鉅亨網/鉅亨網記者蔡宗憲 台北 2012.02.14 00:00
半導體市場將在今年跨入28奈米製程世代,IC驗證宜特(3289-TW)宣布,今年已正式突破技術門檻,不僅可替客戶完成難度極高之28奈米最小線寬修改,且電路除錯能力將可更深入至IC最底層。

宜特指出,28奈米是現今市場上各大廠欲跨入之製程,此製程可為IC產品帶來更高效能,更低功耗,與更輕薄短小尺寸,符合現今行動裝置的需求,因此許多大廠紛紛導入。

宜特表示,近年晶圓代工廠包含台積電(2330-TW)、聯電(2303-TW)、三星與格羅方德(Global Foundries)皆陸續在28奈米有好消息,台積電去年底率先量產28奈米製程產品,並估今年28奈米製程產品將達整體營收10%,而聯電近期也傳接獲數間大廠的28奈米訂單,並進入試產階段。

不過,宜特認為,28奈米製程也有技術上之挑戰,由於在設計與佈局上的複雜度升高,並難有一套通用的可製造性設計確保設計與佈局之正確性,將導致IC設計業者須進行更頻繁的光罩改版,增加時間成本與金錢成本的負擔。

因此,許多業者採用FIB(Focused ion beam),藉此省去光罩改版的時間與金錢成本,宜特指出,FIB在28奈米產品的除錯與驗證上,勢必扮演更重要的角色。

宜特強調,2010年即展開28奈米IC線路修改的研究與佈局,針對最底層(Metal 1)的極小線路作修改測試,並從極小間距中,研究如何設定正確參數將訊號引出,還可利用獨有的低阻值連線技術(宜特已有中華民國專利),克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真,目前在各個環節上均已完成驗證,技術能量已可滿足現今所有先進製程產品的除錯與驗證需求。

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